光电转换器件和成像装置

    公开(公告)号:CN111066166A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201880058595.2

    申请日:2018-09-07

    Abstract: [问题]为了提供一种能够具有提高的量子效率和提高的反应速度的光电转换器件和一种成像装置。[解决方案]根据本公开的一个实施方案的第一光电转换器件设置有:第一电极;第二电极,其布置成与所述第一电极相对;和光电转换层,其布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的有机半导体材料。对于所述有机半导体材料,在第一温度下成膜的情况和在高于所述第一温度的第二温度下成膜的情况之间,所述光电转换层中的水平取向晶体与垂直取向晶体的比率的变化率是3倍以下。

    光检测元件和光检测装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116744702A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310512225.4

    申请日:2017-07-20

    Abstract: 本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中,光检测元件可包括:第一电极;第二电极,其与所述第一电极相对;以及光电转换层,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层,所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料,所述激子离解层包括第三半导体材料,并且其中,所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级,或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。

    光电转换器件和成像装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117177592A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311206016.3

    申请日:2018-09-07

    Abstract: 一种光电转换器件,包括:第一电极;第二电极,其与第一电极相对;和光电转换层,其设置在第一电极和第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的一种有机半导体材料,其中在一种有机半导体材料在第一温度下进行成膜的情况和一种有机半导体材料在第二温度下进行成膜的情况之间,相对于第一电极的电极表面形成的角度的变化量小于10度,第二温度高于第一温度,以及其中第一温度和第二温度之间的差为5摄氏度以上且35摄氏度以下,第一温度为‑10摄氏度以上且+10摄氏度以下,并且第二温度为15摄氏度以上且35摄氏度以下。

    光电转换器件和成像装置

    公开(公告)号:CN111066166B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN201880058595.2

    申请日:2018-09-07

    Abstract: [问题]为了提供一种能够具有提高的量子效率和提高的反应速度的光电转换器件和一种成像装置。[解决方案]根据本公开的一个实施方案的第一光电转换器件设置有:第一电极;第二电极,其布置成与所述第一电极相对;和光电转换层,其布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一种具有结晶性的有机半导体材料。对于所述有机半导体材料,在第一温度下成膜的情况和在高于所述第一温度的第二温度下成膜的情况之间,所述光电转换层中的水平取向晶体与垂直取向晶体的比率的变化率是3倍以下。

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