公开(公告)号：CN115552652A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180032909.3

申请日：2021-06-10

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 村上洋介 ,  菅野雅人 ,  君岛美树

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本公开的一个实施方案的光电转换元件包括：第一电极(11)；第二电极(13)，其布置成与所述第一电极(11)相对；和有机光电转换层(12)，其设置在所述第一电极(11)与所述第二电极(13)之间，在所述第一电极(11)与所述第二电极(13)之间的预定截面中，所述有机光电转换层(12)在层内具有包含一种有机半导体材料的大于1nm且小于10nm的畴。

公开(公告)号：CN115411064A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210991928.5

申请日：2022-08-17

Applicant: 天合光能股份有限公司 ,  南京大学

Inventor： 谭海仁 ,  夏锐 ,  李红江 ,  罗皓文 ,  张学玲 ,  徐冠超 ,  陈奕峰

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/142

Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池，包括：第一电池，第二电池，在第一电池的第一光电转换层和第二电池的第二光电转换层之间设置有第一电荷传输层、透明导电层、第二电荷传输层和多晶硅层，其中，第二电荷传输层设置在多晶硅层和透明导电层之间，且所述第二电荷传输层与所述多晶硅层的电荷传输性质相同。本发明提出的太阳能电池中在第一光电转换层和第二光电转换层之间依次设置有第一电荷传输层、透明导电层、第二电荷传输层和多晶硅层，特别是第二电荷传输层的设置可以保护多晶硅层，能够有效传输同一类型的电荷，避免复合现象在界面或薄膜内部的发生，从而能有效的提升电池效率。本申请太阳能还具有结构简单，制作工艺简便，成本较低等特点。

公开(公告)号：CN115336022A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024405.7

申请日：2021-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  荒木贵史 ,  大关美保

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/10 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明的课题在于降低暗电流。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从上述n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值为0.35以下。此外，上述n型半导体材料的HOMO与p型半导体材料的HOMO之差优选为0～0.10eV，p型半导体材料优选为包含下式(I)所表示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，Ar1和Ar2表示具有或不具有取代基的3价芳香族杂环基或者具有或不具有取代基的3价芳香族碳环基，Z表示下述式(Z‑1)～式(Z‑7)所表示的基团。)

公开(公告)号：CN115336021A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024384.9

申请日：2021-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  荒木贵史 ,  大关美保

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/10 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明的课题在于提供暗电流比小的光检测元件。解决手段为一种光检测元件，其包含第一电极、第二电极、以及设置于上述第一电极与上述第二电极之间的有源层，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述p型半导体材料包含具有‑5.45eV以下的HOMO的聚合物，上述n型半导体材料包含非富勒烯化合物。优选上述p型半导体材料中包含的上述聚合物包含具有给电子性的结构单元DU和具有受电子性的结构单元AU，上述非富勒烯化合物包含具有给电子性的部分DP和具有受电子性的部分AP。

公开(公告)号：CN115188889A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210753491.1

申请日：2022-06-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 唐鑫 ,  郝群 ,  陈梦璐 ,  赵鹏飞

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种非倒装键合体式双波段量子点像元、焦平面阵列及其制备方法与应用，属于光电传感器技术领域。该双波段量子点像元包括底电极、顶电极及位于顶电极与底电极之间的空穴传输层、红外感光膜层与可见光感光膜层，红外感光膜层包括硫系汞胶体量子点本征层及硫系银胶体量子点掺杂层，可见光感光膜层包括电子传输层与碲化镉胶体量子点层，且硫系银胶体量子点掺杂层、硫系汞胶体量子点本征层、电子传输层与碲化镉胶体量子点层构成P‑N‑P异质结。本发明设计的制备方法工艺相对简单、成本低、成品率高，且制得的探测器不仅具备可见光探测和红外探测的优势，而且光电转换效率高，器件效率好。

公开(公告)号：CN115172603A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210803578.5

申请日：2022-07-07

Applicant: 河北大学

Inventor： 陈剑辉 ,  陈兵兵 ,  高青 ,  张旭宁 ,  陈静伟 ,  郭建新 ,  王淑芳 ,  闫小兵 ,  许颖

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/42 ,  H01L27/28 ,  H01L27/30 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明涉及光伏发电技术领域，提出了全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池及其叠瓦组件，全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池包括多层结构，所述多层结构自下而上依次包括背面金属电极、空穴传输/钝化层、硅片、电子传输/钝化层、复合结、钙钛矿空穴传输层、钙钛矿吸收层、钙钛矿电子传输层、缓冲层、透明导电电极和和金属栅线电极，所述多层结构均采用溶液印刷法制备，所述空穴传输/钝化层和电子传输/钝化层均选用导电钝化材料。通过上述技术方案，解决了现有技术中叠层电池制作成本高及其组件功率损失大的问题。

公开(公告)号：CN115117112A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210426645.6

申请日：2022-04-21

Applicant: 旗滨新能源发展(深圳)有限责任公司

Inventor： 不公告发明人

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开一种太阳能电池及其制备方法以及太阳能电池组件，所述太阳能电池包括从下至上依次叠加设置的玻璃基板、非晶硅电池和钙钛矿电池；其中，所述非晶硅电池包括从下至上依次叠加设置第一透明电极层、PIN层和第一金属层；所述钙钛矿电池包括从下至上依次叠加设置的第二透明电极层、钙钛矿层、第三透明电极层和第二金属层。本发明提供的太阳能电池能够双面吸光，且不仅能够吸收室内弱光，还能够吸收室外强光，电阻值小，效率高，适用于多种场合。

公开(公告)号：CN115082651A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210687918.2

申请日：2018-03-06

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 威尔弗里德·施瓦兹 ,  阿加特·普什卡 ,  昆廷·沙布尔 ,  本杰明·布蒂农

IPC: G06V10/10 ,  G06V10/147 ,  G06V40/12 ,  G06V40/13 ,  G09G3/3208 ,  G03B11/00 ,  G03B30/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/042 ,  H01L27/146 ,  H01L27/28 ,  H01L27/30 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种图像采集系统(10)，包括：辐射(44)的源(22)；图像传感器(14)，所述图像传感器包括适于检测所述辐射的光电检测器的阵列并具有一个面(15)；和角度滤光器(16)，其覆盖所述传感器，并且适于阻挡相对于与所述面正交的方向的入射角大于阈值的所述辐射的射线，并且适于接收相对于与所述面正交的方向的入射角小于所述阈值的所述辐射的至少某些射线。

公开(公告)号：CN114864631B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210794756.2

申请日：2022-07-07

Applicant: 中国长江三峡集团有限公司 ,  杭州纤纳光电科技有限公司

Inventor： 刘冬雪 ,  代慧涛 ,  何振峰 ,  杨静 ,  孙天歌 ,  董一昕 ,  尚子雅 ,  颜步一 ,  张鹭

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/054 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件及其制备方法。钙钛矿/晶硅叠层电池组件包括：层叠设置的晶硅电池组和第一钙钛矿电池组，晶硅电池组包括至少一个晶硅电池，第一钙钛矿电池组包括至少一个第一钙钛矿电池；晶硅电池朝向第一钙钛矿电池组的一侧表面具有第一栅线，第一栅线包括若干第一副栅，第一钙钛矿电池具有切割线，切割线在晶硅电池表面的正投影位于部分第一副栅内。所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件的热斑效应减弱，从而减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性。

公开(公告)号：CN115020590A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210614089.5

申请日：2022-06-01

Applicant: 暨南大学 ,  光机电(广州)科技研究院有限公司

Inventor： 谢伟广 ,  詹镇业 ,  蔡俊涛 ,  陈艾迪 ,  黄熙 ,  时婷婷 ,  刘彭义

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明公开了钙钛矿光电探测器、钙钛矿光电探测器阵列及其制备方法，钙钛矿光电探测器包括依次层叠设置的导电基底、钙钛矿光电二极管层、阻挡二极管层和顶部电极；钙钛矿光电探测器阵列包括依次层叠设置的导电基底、钙钛矿光电二极管层、阻挡二极管层和顶部电极；所述导电基底刻蚀有多条沿着第一方向等间距设置的底部电极，多条底部电极组成底部电极阵列，所述顶部电极沿着第二方向等间距设有多条，多条顶部电极组成顶部电极阵列，所述底部电极阵列与顶部电极阵列垂直交叉设置。本发明首次提出一种由钙钛矿光电二极管集成阻挡二极管的新型钙钛矿光电探测器结构；本发明用简单的结构实现了钙钛矿光电探测器的阵列集成，其能够抑制电串扰问题。