公开(公告)号：CN113875023A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080035134.0

申请日：2020-06-17

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  山口哲司 ,  河合信宏 ,  关口浩司 ,  定荣正大 ,  村田贤一 ,  平田晋太郎 ,  长谷川雄大 ,  永岛义人

IPC: H01L31/0224 ,  H01L51/44 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  G01J1/44

Abstract: 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。

公开(公告)号：CN112002808A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010731230.0

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。

公开(公告)号：CN112002806A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010730884.1

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN108352394A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062487.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  茂木英昭 ,  伊藤琢哉

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L51/42 ,  H04N9/07

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L51/42 ,  H04N9/07 ,  Y02E10/549

Abstract: 根据本发明的实施方式的光电转换元件，包含：相对设置的第一电极(15a)和第二电极(18)；以及光电转换层(17)，其设置在第一电极(15a)和第二电极(18)之间，并且还包含由式(1)表示的第一喹吖啶酮衍生物。

公开(公告)号：CN112510154B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202011261026.3

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/00

Abstract: 本公开提供了一种光电转换膜，其包含不吸收可见光的透明化合物；和有机染料化合物，所述有机染料化合物吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的绿色光。

公开(公告)号：CN118946168A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411004906.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 服部真之介 ,  小林一 ,  宫地左伊 ,  菅野雅人 ,  君岛美树 ,  长谷川雄大 ,  西寿朗 ,  川嶋孝 ,  齐藤阳介 ,  稲叶雄大

IPC: H10K30/30 ,  H10K30/81 ,  H10K39/32 ,  H10K85/30 ,  H10K85/20

Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。

公开(公告)号：CN112531121B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202011258985.X

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/50 ,  H10K39/32

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。#imgabs0#

公开(公告)号：CN112424967B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201980047487.X

申请日：2019-07-25

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 服部真之介 ,  小林一 ,  宫地左伊 ,  菅野雅人 ,  君岛美树 ,  长谷川雄大 ,  西寿朗 ,  川嶋孝 ,  齐藤阳介 ,  稲叶雄大

IPC: H10K30/81 ,  H10K30/30 ,  H10K39/32

Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。

公开(公告)号：CN107078216B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201580020332.9

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/00 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

公开(公告)号：CN111029464A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911044857.2

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开提供了一种光电转换膜，其包含不吸收可见光且由通式(3)和通式(4)中的至少一个表示的透明化合物。[化学式3]