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公开(公告)号：CN116469934A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310295569.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对二维铁电场效应晶体管电导更新的线性调制方法，属于二维场效应晶体管技术领域。该方法基于LiNbO3/HfO2/MoS2体系的二维铁电场效应晶体管，通过改变光脉冲以及电脉冲的周期性特征，即通过调整周期时间和周期内每次光脉冲能量大小和电脉冲能量大小，来改变晶体管不同电流值的积累状态，从而引起晶体管沟道电流线性增加或减小，突破电导更新状态快速饱和趋势的限制，实现电导更新具有较好的线性度，从而为图像处理应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN110218888B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910538567.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型Zintl相热电材料，其化学式为YbMg2Sb2，所述新型Zintl相热电材料为纯相的六方晶系结构，能带结构计算所得禁带宽度为1.23eV，所述YbMg2Sb2热电材料掺杂Na，化学式为Yb1‑xNaxMg2Sb2，0≤x≤0.025。通过Yb位Na掺杂，提高载流子浓度，同时降低晶格热导率，从而提高热电性能，在温度为773K时达到最高热电优值～0.6。本发明制得了一种新型Zintl相热电材料，利用Na掺杂同时优化电和热输运性能，是一种极具应用潜力的热电材料，本发明推动了Zintl相热电材料的发展。
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公开(公告)号：CN110098064B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910369654.4
申请日：2019-05-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种CoSb3基方钴矿热电材料作为超级电容器电极材料的制备方法，并首次将该热电材料应用于超级电容器，属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。该发明制备的应用于超级电容器的电极材料Co4Sb11.2Sn0.02Te0.78具有较大的比表面积，为电化学反应提供更多的反应活性位点同时缩短了离子传输路径，在强碱性的水性溶液中，表现出了超高的比容量和优异的倍率性能。表明CoSb3基方钴矿材料不仅具有优异的热电性能，还是一种潜在的具有优异电化学性能的超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN110767466A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910949326.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明是一种用于超级电容器电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍的制备方法。并首次将CoP3应用于超级电容器，属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。本发明采用低温磷化的工艺制备应用于超级电容器的电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍具有合成过程简单、易控制、成本低、比容量高的优点。该发明制备的应用于超级电容器的Ni掺杂CoP3/泡沫镍电极材料具有分级结构和较大的比表面积，有利于缩短离子的传输路径，减小电极材料和电解液间的界面阻力，提供更多的活性位点，并且在碱性电解质中，能提供较高的比容量，在电化学储能方面显示出极大的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107683072A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710939454.9
申请日：2017-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05K7/20
CPC classification number: H05K7/20745 , H05K7/20836
Abstract: 本发明专利公开了一种基于热电器件的数据中心冷却散热系统，涉及一种散热方式；该系统包括：用于存储冷空气的下层空间、用于摆放空调和机柜等的中层空间、用于存储热空气的上层空间；下层空间与中层空间采用带密集小孔的底板隔开，中层空间与上层空间采用带集中通风孔的顶板隔开，所述顶板的集中通风孔上安装有帮助空气进入上层空间的风扇；所述服务机机柜以阵列的方式设置于底板上；空调从上层空间吸入热空气，向下层空间释放冷空气。该系统热循环遵循自然规律，一旦建立了该循环后，只需消耗少量的能量就能维持该循环，从而本发明能够大量地节约能源。
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公开(公告)号：CN117822022A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311711531.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/052 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米颗粒/二硫化钼复合析氢电极的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，采用一锅法在玻碳电极上制备二硫化钼薄膜的同时沉积导电碳纳米颗粒。一方面，导电碳纳米颗粒可以有效促进析氢反应过程中电荷的转移；另一方面在二硫化钼反应过程中引入碳纳米颗粒也将增加二硫化钼的缺陷密度从而增加催化活性点，从而提高二硫化钼的电催化活性。本发明制备的碳纳米颗粒/二硫化钼复合析氢电极无需添加粘结剂或采用压片工艺等额外工艺，有望促进二硫化钼在析氢电极上的进一步应用。
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公开(公告)号：CN111987153A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010966726.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO3作为铁电栅极材料，不同于现有常规的铁电材料HfZrO2、PVDF以及PZT等，使得基于LiNbO3材料的场效应晶体管具有超低的亚阈值特性，同时还具有小回滞的稳定转移特性。
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公开(公告)号：CN104241348A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410428862.4
申请日：2014-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0603 , H01L29/66325
Abstract: 本发明实施例提供了一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法，涉及高压功率半导体器件技术领域，可以提高漂移区电导，可以降低器件的导通压降和导通电阻，从而减小正向导通功耗。所述碳化硅绝缘栅双极型晶体管包括：P+衬底(1)，N+缓冲层(2)，N-漂移区(3)，N+空穴阻挡层(4)，N+空穴阻挡层(5)，P阱区(6)，P+欧姆接触区(7)，N+源区(8)，SiO2栅氧化层(9)，栅极(10)，发射极(11)，集电极(12)，P阱区(6)与N-漂移区(3)之间设置有横向N+空穴阻挡层(4)和纵向N+空穴阻挡层(5)，P阱区(6)和N+空穴阻挡层(4)和(5)均为恒定掺杂。
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公开(公告)号：CN115966626A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211149206.1
申请日：2022-09-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种非对称三明治结构的二维光电探测器阵列的设计和构建工艺，属于微电子工艺和光电探测器件应用领域。本发明以金(Au)为底层电极材料，化学气相沉积法(CVD)制备的大面积二硫化钼(MoS2)作为中间层沟道材料，CVD制备的大面积Graphene作为顶层电极材料，在此基础上利用Au和MoS2、Graphene的抗刻蚀特性不同，采用传统的光学曝光和刻蚀工艺，实现对Au‑MoS2‑Graphene三明治结构光电探测器的尺寸、位置和数量的可控构建。
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