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公开(公告)号:CN110098064A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910369654.4
申请日:2019-05-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种CoSb3基方钴矿热电材料作为超级电容器电极材料的制备方法,并首次将该热电材料应用于超级电容器,属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。该发明制备的应用于超级电容器的电极材料Co4Sb11.2Sn0.02Te0.78具有较大的比表面积,为电化学反应提供更多的反应活性位点同时缩短了离子传输路径,在强碱性的水性溶液中,表现出了超高的比容量和优异的倍率性能。表明CoSb3基方钴矿材料不仅具有优异的热电性能,还是一种潜在的具有优异电化学性能的超级电容器电极材料。
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公开(公告)号:CN109103323A
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201810775036.5
申请日:2018-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种通过填充Ga替换Sb提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法,属于热电材料领域及其制备邻域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb3基方钴矿材料的热电性能,且制备工艺简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN109022863A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810775076.X
申请日:2018-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种填充Ga的CoSb3基方钴矿热电材料GaxCo4Sb12.3及其制备方法,属于热电材料领域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)形成填充方钴矿来提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb3基方钴矿材料的热电性能,且制备工艺简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN103728601A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201410020660.6
申请日:2014-01-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/36
Abstract: 本发明公开了一种雷达信号运动干扰空域-极化域联合稳健滤波方法方法,首先利用PASTd算法对极化敏感阵列的水平通道数据进行干扰信号子空间实时估计,同时采用MUSIC算法估计干扰信号的方位角,然后利用估计的干扰信号方位角估计干扰的空域极化模型,获得干扰的空域极化模型后利用干扰角度实时估计过程中得到的干扰子空间进行空域正交投影滤波,最后利用极化空域模型进行斜投影极化滤波。本发明主要解决现有方法不能在空域和极化域联合实现运动干扰抑制的问题。简单实用,在有运动干扰时,能准确估计干扰信号方向并及时利用空域极化特性模型实现空域和极化域联合干扰抑制,可用于雷达、通信等领域中运动干扰的抑制。
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公开(公告)号:CN110098064B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201910369654.4
申请日:2019-05-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种CoSb3基方钴矿热电材料作为超级电容器电极材料的制备方法,并首次将该热电材料应用于超级电容器,属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。该发明制备的应用于超级电容器的电极材料Co4Sb11.2Sn0.02Te0.78具有较大的比表面积,为电化学反应提供更多的反应活性位点同时缩短了离子传输路径,在强碱性的水性溶液中,表现出了超高的比容量和优异的倍率性能。表明CoSb3基方钴矿材料不仅具有优异的热电性能,还是一种潜在的具有优异电化学性能的超级电容器电极材料。
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公开(公告)号:CN106025056A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610410062.9
申请日:2016-06-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种锡硫化合物热电材料的制备方法,采用共沉淀法制备锡硫化合物粉末,用去离子水和无水乙醇多次洗涤去除其中的杂质离子得到固体粉末,真空干燥后得到锡硫化合物粉末,在惰性气氛下对其进行加热退火,将得到的锡硫化合物粉末采用加压烧结方式制作成块状的锡硫化合物热电材料。本发明使用锡离子(Sn4+)或亚锡离子(Sn2+)的可溶盐与硫离子(S2‑)的可溶盐为原料,生产锡硫化合物粉末,然后在惰性气体下,进行高温烧结再结晶,得到锡硫化合物热电材料;与现有的制备方法相比,具有生产成本低,设备简单,安全性高,操作简便,易于批量化生成等优点,制备出的锡硫化合物热电材料热导率低,性能较好。
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公开(公告)号:CN108010733A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711415674.8
申请日:2017-12-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种花状的Cu2SnS3柔性超级电容器电极材料的制备方法,属于超级电容器材料的合成与制备技术领域,具体涉及一种花状的Cu2SnS3的柔性超级电容器的制作方法。本方法反应即制备花状的Cu2SnS3,制备方法简单,结晶性好,同时具有较大的比表面积和较小的介孔,为电化学反应提供更多的反应活性位点同时缩短了离子传输路径,在强碱性的水性溶液中,表现出了超高的比容量及其优异的倍率性能;由于是在碳布上原位生长的,减小了电极材料的接触电阻;且材料本身结晶性高,比容量较高,能量密度优异,是一种潜在的优异的超级电容器电极材料。
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