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公开(公告)号：CN107574475A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710559394.8
申请日：2017-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种HfS2单晶纳米片的制备方法，属于半导体材料的制备领域。包括以下步骤：1)将S源和Hf源放入石英管的上游区域，内径小于石英管的内嵌石英管放置于下游区域，云母基片置于内嵌石英管中；2)石英管内部抽真空，通入惰性气体使管内气压保持常压环境，然后通入载气流和保护气体；3)加热S源和Hf源至蒸发，在温度为800～980℃、云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d为0.5～2.5mm的条件下，反应5～15min，待石英管自然降到室温，取出基片。本发明通过对云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d以及沉积温度等参数的优化，实现了厚度为0.8～15nm，边长～5μm的HfS2纳米片的可控生长。
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公开(公告)号：CN111987153A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010966726.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO3作为铁电栅极材料，不同于现有常规的铁电材料HfZrO2、PVDF以及PZT等，使得基于LiNbO3材料的场效应晶体管具有超低的亚阈值特性，同时还具有小回滞的稳定转移特性。
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公开(公告)号：CN111254488B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010066148.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维超薄非层状Fe3O4纳米片的制备方法及其在长波长红外光电探测器上的应用，属于纳米材料与器件制备技术领域。本发明采用化学气相沉积生长法，使用自然氧化的铁箔作为限域手段，通过调整生长温度和气流速率等关键因素，实现了高质量二维超薄Fe3O4纳米片的可控生长。基于本发明生长的Fe3O4纳米片所制备的光电探测器具有超高光响应率和超宽光谱响应，不仅在近紫外至长波长红外的宽光谱范围内具有较高光响应率，更是在长波长红外光电探测领域有了新的突破。
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公开(公告)号：CN110373716A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910531231.8
申请日：2019-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B29/12 , C30B29/64 , C30B25/02 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/24 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种二维超薄CuBr纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料制备技术领域。通过简单的化学气相沉积法，在云母上通过范得瓦尔斯外延生长，避免了基底与材料的晶格失配；采用BiBr3作为反应源、铜箔作为限域手段，通过调节源量、反应温度和反应时间等参数，得到了厚度为0.9nm～200nm，尺寸为2～150μm的三角形单晶纳米片，实现了CuBr纳米片的可控生长，且制备的CuBr单晶性好，与基底之间不存在晶格失配。
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公开(公告)号：CN111987153B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010966726.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO3作为铁电栅极材料，不同于现有常规的铁电材料HfZrO2、PVDF以及PZT等，使得基于LiNbO3材料的场效应晶体管具有超低的亚阈值特性，同时还具有小回滞的稳定转移特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111235632B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010066141.9
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/22 , C30B29/64 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。本发明通过化学气相沉积，采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物，通过调节反应温度和时间，制备高质量超薄BiOBr单晶，且暴露晶面为(00l)的固定取向，禁带宽度可达3.69eV；基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应，且对可见光波段是基本没有响应的，因此器件被干扰的几率大幅下降；器件在波长为245nm时具有最高的探测性能；除此之外，该器件具有高频响应的特性，在9.5Hz～1000Hz展现了稳定的探测性能，器件探测速率高。
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公开(公告)号：CN107574475B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710559394.8
申请日：2017-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种HfS2单晶纳米片的制备方法，属于半导体材料的制备领域。包括以下步骤：1)将S源和Hf源放入石英管的上游区域，内径小于石英管的内嵌石英管放置于下游区域，云母基片置于内嵌石英管中；2)石英管内部抽真空，通入惰性气体使管内气压保持常压环境，然后通入载气流和保护气体；3)加热S源和Hf源至蒸发，在温度为800～980℃、云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d为0.5～2.5mm的条件下，反应5～15min，待石英管自然降到室温，取出基片。本发明通过对云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d以及沉积温度等参数的优化，实现了厚度为0.8～15nm，边长～5μm的HfS2纳米片的可控生长。
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公开(公告)号：CN110373716B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910531231.8
申请日：2019-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B29/12 , C30B29/64 , C30B25/02 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/24 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种二维超薄CuBr纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料制备技术领域。通过简单的化学气相沉积法，在云母上通过范得瓦尔斯外延生长，避免了基底与材料的晶格失配；采用BiBr3作为反应源、铜箔作为限域手段，通过调节源量、反应温度和反应时间等参数，得到了厚度为0.9nm～200nm，尺寸为2～150μm的三角形单晶纳米片，实现了CuBr纳米片的可控生长，且制备的CuBr单晶性好，与基底之间不存在晶格失配。
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公开(公告)号：CN111540709A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010377198.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维半导体器件电路一体化制备的方法，属于属于半导体器件制备技术领域。本发明创新性的通过引入金属牺牲层和high-k材料，先在金属牺牲层上将金属图形化电极和介电层制备成一体化结构，再将该结构剥离，利用“后位”转移技术将一体化结构转移至二维材料表面，构成器件整体结构，该方法有效的降低了二维半导体器件中的界面散射，以及化学掺杂、费米钉扎效应，实现了对二维材料的迁移率、器件的开关比、亚阈值摆幅的同步优化，并且该方法制备简单、洁净、破坏性小、稳定性高。
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公开(公告)号：CN111254488A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010066148.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维超薄非层状Fe3O4纳米片的制备方法及其在长波长红外光电探测器上的应用，属于纳米材料与器件制备技术领域。本发明采用化学气相沉积生长法，使用自然氧化的铁箔作为限域手段，通过调整生长温度和气流速率等关键因素，实现了高质量二维超薄Fe3O4纳米片的可控生长。基于本发明生长的Fe3O4纳米片所制备的光电探测器具有超高光响应率和超宽光谱响应，不仅在近紫外至长波长红外的宽光谱范围内具有较高光响应率，更是在长波长红外光电探测领域有了新的突破。
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