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公开(公告)号：CN117202676B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311476265.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、p‑型半结晶聚合物层、p‑型无定形导电聚合物层、低方块电阻聚合物层和栅线电极结构。本发明以p‑型半结晶聚合物为空穴传输层材料，利用p‑型无定形导电聚合物填充p‑型半结晶聚合物在结晶成膜过程中形成的微小孔洞，阻碍钙钛矿分解产物向外扩散和水氧向内扩散的过程，增强钙钛矿太阳能电池的稳定性；采用栅线电极结构降低电极接触面积，缓解钙钛矿太阳能电池老化，低方块电阻聚合物层有
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公开(公告)号：CN117202676A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311476265.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、p‑型半结晶聚合物层、p‑型无定形导电聚合物层、低方块电阻聚合物层和栅线电极结构。本发明以p‑型半结晶聚合物为空穴传输层材料，利用p‑型无定形导电聚合物填充p‑型半结晶聚合物在结晶成膜过程中形成的微小孔洞，阻碍钙钛矿分解产物向外扩散和水氧向内扩散的过程，增强钙钛矿太阳能电池的稳定性；采用栅线电极结构降低电极接触面积，缓解钙钛矿太阳能电池老化，低方块电阻聚合物层有效减小低方块电阻聚合物层与相邻两条副栅线之间的横向阻值，以避免光电转换效率下降。
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公开(公告)号：CN117156875A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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公开(公告)号：CN118338686A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410260596.2
申请日：2024-03-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，具体提供一种钙钛矿太阳能电池模组及其制备方法。旨在解决现有钙钛矿太阳能电池模组的子电池之间的连接方式不佳容易引发钙钛矿降解的问题。为此，本发明的钙钛矿太阳能电池模组包括通过串联方式连接的多个子电池，子电池包括依次层叠设置的第一电极、中间功能层和第二电极，第一电极的至少一侧向外延伸以形成第一连接部，以使第一电极通过第一连接部和与其相邻的子电池的第二电极相连以实现串联，并且第一连接部与中间功能层之间形成有间隙并因此不与其接触，以便有效避免第一电极与中间功能层的直接接触，进而有效避免因接触而引发的钙钛矿降解问题，保证电池模组的工作效率及稳定性。
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公开(公告)号：CN117156875B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420104A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310871877.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种高通量自动化荧光光谱的拟合分峰方法，属于计算机数据处理领域。本发明包括：接收高通量实验设备端产生的荧光光谱序列数据并整理成为数据集合，提取对应数据并进行分区处理，对每种初步分区数据进行初始化，重复多次，得到多组初始化参数集；以每一组初始化参数集作为初始化条件，调用被修正EM方法进行Gauss拟合，并获得相应的Gauss参数集，重复多次，得到多种Gauss参数集；度量每一种的拟合效果并从中选取最佳拟合拟合参数，并进行对应的可视化展示。本发明可以对半导体材料高通量实验和生产中所产生巨量荧光光谱数据实现高通量的精确拟合，提供拟合后可直接分析的荧光峰参数以及可视化数据图像。
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公开(公告)号：CN116469934A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310295569.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对二维铁电场效应晶体管电导更新的线性调制方法，属于二维场效应晶体管技术领域。该方法基于LiNbO3/HfO2/MoS2体系的二维铁电场效应晶体管，通过改变光脉冲以及电脉冲的周期性特征，即通过调整周期时间和周期内每次光脉冲能量大小和电脉冲能量大小，来改变晶体管不同电流值的积累状态，从而引起晶体管沟道电流线性增加或减小，突破电导更新状态快速饱和趋势的限制，实现电导更新具有较好的线性度，从而为图像处理应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN220345889U
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202321855117.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01L9/00
Abstract: 本实用新型涉及承托机构技术领域，具体提供一种玻片角的承托部件及玻片承托装置，旨在解决采用现有方式夹持玻片易使玻片角出现受力破损的问题。为此目的，本实用新型的玻片角的承托部件包括基体，基体的上部分横向形成有承托槽，承托槽继续横向形成有避让槽，在玻片角承托在承托槽上的情形下，玻片角与避让槽的侧壁具有间隙。本实用新型通过承托方式实现对玻片的抬起、移动和放置等，能够减少玻片在被移动过程中产生的内部应力，同时，玻片角与避让槽侧壁之间的间隙能够防止玻片角与承托部件发生碰撞而受损，保证玻片的正常使用。
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公开(公告)号：CN220329136U
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202321855116.4
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及旋涂技术领域，具体提供一种旋涂用托盘及旋涂装置，旨在解决现有的旋涂用托盘不易于旋涂基板的取放以及托盘转动时产生的气流涡旋影响旋涂的均匀性进而旋涂成膜质量不佳的问题。为此目的，本实用新型的旋涂用托盘包括主体，主体的顶部向下凹陷形成基板容纳部和用于围设基板容纳部的周边结构，周边结构具有抓取避让缺口，周边结构的外周侧呈圆弧设置。本实用新型的旋涂用托盘可以实现对旋涂基板的容纳，且便于采用手持或者自动夹持的方式将旋涂基板抬起/放下，提高操作的便捷性，以及在托盘旋转的过程中能够尽可能降低气流涡旋，降低不均匀气流对旋涂的影响，使得旋涂更加均匀，提高旋涂成膜质量。
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公开(公告)号：CN222789674U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202421369970.4
申请日：2024-06-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及旋涂技术领域，具体提供一种旋涂装置。旨在解决现有旋涂装置无法自动控制旋涂腔内的氛围而影响成膜效果的问题。为此，本实用新型的旋涂装置包括主体、旋涂托盘和吸附膜，主体上形成有旋涂腔，以使旋涂过程能够在旋涂腔中进行；旋涂托盘设置在主体的内底面上，用于将旋涂基板固定至旋涂腔内；吸附膜以可拆卸的方式环绕主体的内侧面设置，能够吸附旋涂腔内悬浮的溶剂。本实用新型通过增设环绕设置在主体内侧面上的吸附膜来有效吸附旋涂过程中溅射到旋涂腔中的溶剂，保证旋涂腔中洁净的气体氛围，进而有效保证成膜效果。
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