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公开(公告)号：CN111254488B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010066148.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维超薄非层状Fe3O4纳米片的制备方法及其在长波长红外光电探测器上的应用，属于纳米材料与器件制备技术领域。本发明采用化学气相沉积生长法，使用自然氧化的铁箔作为限域手段，通过调整生长温度和气流速率等关键因素，实现了高质量二维超薄Fe3O4纳米片的可控生长。基于本发明生长的Fe3O4纳米片所制备的光电探测器具有超高光响应率和超宽光谱响应，不仅在近紫外至长波长红外的宽光谱范围内具有较高光响应率，更是在长波长红外光电探测领域有了新的突破。
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公开(公告)号：CN111987153B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010966726.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO3作为铁电栅极材料，不同于现有常规的铁电材料HfZrO2、PVDF以及PZT等，使得基于LiNbO3材料的场效应晶体管具有超低的亚阈值特性，同时还具有小回滞的稳定转移特性。
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公开(公告)号：CN111235632B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010066141.9
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/22 , C30B29/64 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。本发明通过化学气相沉积，采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物，通过调节反应温度和时间，制备高质量超薄BiOBr单晶，且暴露晶面为(00l)的固定取向，禁带宽度可达3.69eV；基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应，且对可见光波段是基本没有响应的，因此器件被干扰的几率大幅下降；器件在波长为245nm时具有最高的探测性能；除此之外，该器件具有高频响应的特性，在9.5Hz～1000Hz展现了稳定的探测性能，器件探测速率高。
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公开(公告)号：CN105911400A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610444611.4
申请日：2016-06-17
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G01R31/00 , G01R1/04 , G01R1/0408
Abstract: 一种新型的应变产生装置，包括绝缘底座，至少一对可在绝缘底座上滑动的夹具装置，至少一对可在绝缘底座上滑动的推动装置和至少一对动力系统，所述夹具装置包括第一部件和第二部件，用于夹紧被测样品，所述推动装置设置于被测样品两侧，用于向被测样品施加不同方向的应力，所述动力系统包括脉冲发生器和步进电机，用于向推动装置提供动力。本发明应变产生装置可控制被测样品产生不同方向的应力，并且可通过改变被测样品弯曲曲率半径控制应力的大小，无需大量的人工手动操作，效率高，成本低，可保证被测样品在测试过程中保持稳定的应力大小；本发明应变产生装置可应用于不同类型的柔性材料的电学性能的测试，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111540709A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010377198.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维半导体器件电路一体化制备的方法，属于属于半导体器件制备技术领域。本发明创新性的通过引入金属牺牲层和high-k材料，先在金属牺牲层上将金属图形化电极和介电层制备成一体化结构，再将该结构剥离，利用“后位”转移技术将一体化结构转移至二维材料表面，构成器件整体结构，该方法有效的降低了二维半导体器件中的界面散射，以及化学掺杂、费米钉扎效应，实现了对二维材料的迁移率、器件的开关比、亚阈值摆幅的同步优化，并且该方法制备简单、洁净、破坏性小、稳定性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111254488A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010066148.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维超薄非层状Fe3O4纳米片的制备方法及其在长波长红外光电探测器上的应用，属于纳米材料与器件制备技术领域。本发明采用化学气相沉积生长法，使用自然氧化的铁箔作为限域手段，通过调整生长温度和气流速率等关键因素，实现了高质量二维超薄Fe3O4纳米片的可控生长。基于本发明生长的Fe3O4纳米片所制备的光电探测器具有超高光响应率和超宽光谱响应，不仅在近紫外至长波长红外的宽光谱范围内具有较高光响应率，更是在长波长红外光电探测领域有了新的突破。
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公开(公告)号：CN111235632A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066141.9
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/22 , C30B29/64 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。本发明通过化学气相沉积，采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物，通过调节反应温度和时间，制备高质量超薄BiOBr单晶，且暴露晶面为(00l)的固定取向，禁带宽度可达3.69eV；基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应，且对可见光波段是基本没有响应的，因此器件被干扰的几率大幅下降；器件在波长为245nm时具有最高的探测性能；除此之外，该器件具有高频响应的特性，在9.5Hz～1000Hz展现了稳定的探测性能，器件探测速率高。
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公开(公告)号：CN107986323B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201711101779.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01G21/00
Abstract: 本发明提供了一种CsPb2Br5无机钙钛矿纳米片的制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。本发明通过将前驱体溶液滴加至衬底上，然后在带反溶剂的玻璃罐中密封静置后，在衬底上得到CsPb2Br5纳米片。本发明得到的CsPb2Br5钙钛矿纳米片形貌尺寸均一，结晶性能良好；且实现了尺寸为120μm、厚度为125nm的超大纳米片的制备。同时，本发明方法工艺简单，成本低廉，原料简单易得，反应条件温和，在常温常压下即可，有利于实现大面积钙钛矿纳米片的工业化生产。
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公开(公告)号：CN111987153A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010966726.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO3作为铁电栅极材料，不同于现有常规的铁电材料HfZrO2、PVDF以及PZT等，使得基于LiNbO3材料的场效应晶体管具有超低的亚阈值特性，同时还具有小回滞的稳定转移特性。
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公开(公告)号：CN105911400B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610444611.4
申请日：2016-06-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种新型的应变产生装置，包括绝缘底座，至少一对可在绝缘底座上滑动的夹具装置，至少一对可在绝缘底座上滑动的推动装置和至少一对动力系统，所述夹具装置包括第一部件和第二部件，用于夹紧被测样品，所述推动装置设置于被测样品两侧，用于向被测样品施加不同方向的应力，所述动力系统包括脉冲发生器和步进电机，用于向推动装置提供动力。本发明应变产生装置可控制被测样品产生不同方向的应力，并且可通过改变被测样品弯曲曲率半径控制应力的大小，无需大量的人工手动操作，效率高，成本低，可保证被测样品在测试过程中保持稳定的应力大小；本发明应变产生装置可应用于不同类型的柔性材料的电学性能的测试，具有良好的应用前景。
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