-
公开(公告)号：CN119900005A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510069492.8
申请日：2025-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/32 , C01G3/00 , C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 本发明的目的在于提供一种低温低气压制备YBCO纳米线的方法，属于单光子探测技术领域。该方法采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP‑RIE)技术进行纳米线制备。采用本发明方法制备YBCO纳米线，纳米线厚度低至5nm，宽度可窄至68nm，并确保了纳米线的优异形貌和电学特性。通过精确调控温度和气压参数，有效减少了刻蚀过程中因热效应导致的损伤，得到了极小的横向刻蚀损伤宽度(约15nm)。同时，批量制备纳米线的开关电流(Is)变异系数小于6％和电阻‑温度(R‑T)特性的变异系数小于1％，证明了其出色的均匀性。
-
公开(公告)号：CN115224190A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210690856.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法，属于铁电存储器技术领域。本发明非易失性存储器的核心区采用在空气中具有极强的稳定性的碲烯，极大提升了存储器的稳定性以及降低了室温下存储器制备的难度，解决了传统二维材料作为存储器单元，在长循环过程中会出现元素偏析，导致器件失效的问题。
-
公开(公告)号：CN111235632B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010066141.9
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/22 , C30B29/64 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。本发明通过化学气相沉积，采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物，通过调节反应温度和时间，制备高质量超薄BiOBr单晶，且暴露晶面为(00l)的固定取向，禁带宽度可达3.69eV；基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应，且对可见光波段是基本没有响应的，因此器件被干扰的几率大幅下降；器件在波长为245nm时具有最高的探测性能；除此之外，该器件具有高频响应的特性，在9.5Hz～1000Hz展现了稳定的探测性能，器件探测速率高。
-
-
公开(公告)号：CN114399079A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111499964.1
申请日：2021-12-09
Applicant: 西安电子科技大学青岛计算技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种智慧旅游景区路径规划方法，应用于服务器，该方法包括：S1、响应于游客登录状态获取游客当前位置信息和一定时间段内的前位置信息；S2、根据所述当前位置信息确定游客是否处于预设规划区域；S3、响应于游客处于预设规划区域，根据所述当前位置信息和所述前位置信息形成路径规划信息；S4、将所述路径规划信息发送至游客。本发明的智慧旅游景区路径规划方法通过对游客位置信息进行判断，结合景区每个景点的实时旅游人数进行路径规划，从而能够向游客提供一个最佳旅游路线，进而提高了景区整体的旅游效率，使得景区可以接待更多的游客，也提高了旅游者的体验感，达到双赢的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119584846A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411677603.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明提供一种提升YBCO纳米线IV特性的方法，属于单光子探测技术领域。该方法通过可控热处理和电压驱动增强处理相结合用于提升YBCO纳米线IV特性，通过本发明方法得到的YBCO纳米线，不仅可以增大临界电流Ic，提升临界电流密度Jc，Jc可提升至1.86MA·cm‑2，还能拓宽回滞窗口，使得超导态更加稳定，并且具有锐利的电压跳变；除此之外，也可使超导性能退化的纳米线器件从原始的磁通流状态变成明显的滞后状态，改善超导特性，从而恢复光探测的能力，大幅提升了探测器的探测灵敏度、时间分辨率和环境稳定性等性能，为未来基于YBCO纳米线的SNSPD的实现和应用拓展提供了强有力的支持。
-
公开(公告)号：CN117238978A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311137990.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种自驱动的宽光谱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该探测器中，窄带隙二维半导体的一侧与金属接触，另一侧与二维半金属接触，从而在窄带隙二维半导体两侧分别构建良好的非对称肖特基和欧姆接触。该结构在无须外部供电条件下实现了从可见光到红外光谱的宽探测光谱范围和高光探性能，并且器件在零偏置下的暗电流较小，可达10‑13A，同时具有高响应度。
-
公开(公告)号：CN111525128B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010313134.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极，包括导电基底和生长在其表面的钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物纳米片，钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物纳米片由钌纳米颗粒和含硫空位的过渡金属硫化物纳米片复合而成，形成异质结构。制备方法为先在导电基底上制备过渡金属硫化物纳米片，再经过硼氢化钠处理得到含硫空位的过渡金属硫化物，最后浸入含三氯化钌的氢氧化钠溶液中掺杂钌。本发明所得钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极因存在硫空位而产生大量表面氧化还原活性位点，掺杂的钌占据硫空位处，与其他硫键合，从而激活表面电荷转移，提高电子传输性能，有效改善Li‑O2电池反应动力学缓慢及循环稳定性差的问题。
-
公开(公告)号：CN111254488A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010066148.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维超薄非层状Fe3O4纳米片的制备方法及其在长波长红外光电探测器上的应用，属于纳米材料与器件制备技术领域。本发明采用化学气相沉积生长法，使用自然氧化的铁箔作为限域手段，通过调整生长温度和气流速率等关键因素，实现了高质量二维超薄Fe3O4纳米片的可控生长。基于本发明生长的Fe3O4纳米片所制备的光电探测器具有超高光响应率和超宽光谱响应，不仅在近紫外至长波长红外的宽光谱范围内具有较高光响应率，更是在长波长红外光电探测领域有了新的突破。
-
公开(公告)号：CN111235632A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066141.9
申请日：2020-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/22 , C30B29/64 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用，属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。本发明通过化学气相沉积，采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物，通过调节反应温度和时间，制备高质量超薄BiOBr单晶，且暴露晶面为(00l)的固定取向，禁带宽度可达3.69eV；基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应，且对可见光波段是基本没有响应的，因此器件被干扰的几率大幅下降；器件在波长为245nm时具有最高的探测性能；除此之外，该器件具有高频响应的特性，在9.5Hz～1000Hz展现了稳定的探测性能，器件探测速率高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.021 seconds)
