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公开(公告)号：CN111540609B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010376302.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超级电容器的晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法,涉及复合材料及制备技术，特别是超级电容器电极材料技术领域。该材料为晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料，是晶态的MoO3、非晶态的Ni3S2、泡沫镍的混合物，以泡沫镍为自支撑基底和镍源，再起表面原位生成晶态Ni3S2纳米薄片，再在晶态Ni3S2纳米薄片上进一步合成非晶态的MoO3，获得晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料，晶态Ni3S2纳米薄片阵列排布于泡沫镍为自支撑基底表面，非晶态的MoO3，掺插于晶态Ni3S2纳米薄片之间。本发明材料一方面继承了晶态Ni3S2的高导电性，另一方面非晶态MoO3的无定型结构可能加速电荷的转移，从而促进电化学反应的进行，实现了高比电容。
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公开(公告)号：CN112700967A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011373861.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种高比容量的Cu2‑xSe超级电容器负极材料及其制造方法，本发明涉及超级电容器领域，具体涉及Cu2‑xSe材料应用于超级电容器领域。本发明应用于超级电容器的Cu2‑xSe材料具有较高的电导率，为电化学反应提供更快的动力学，减少电解液和电极间的界面阻力，在强碱性的水性溶液中，表现出了高达1040F g‑1的比容量。表明Cu2‑xSe材料是一种潜在的具有优异电化学性能的超级电容器负极材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545571A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811442133.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种中空管状自支撑超级电容器电极材料的制备方法，属于超级电容器电极材料制备技术领域，具体涉及一种以泡沫铜为基底的中空管状自支撑材料的制备。以泡沫铜为基底的自支撑电极材料运用到超级电容器上，由于将活性物质直接沉积在导电基底上，产生了高效的离子/电子传输路径，降低了导电基底和活性物质之间的接触电阻。同时消除了在制造电极材料过程中粘合剂和导电剂使用，从而优化了电极材料的制备工艺。本发明则提供了一种在泡沫铜上直接生长出一层氢氧化铜，接着利用水热法硫化Cu/Cu(OH)2，最终在泡沫铜表面上生长出了一层中空管状的硫化亚铜Cu@Cu2S超级电容器电极材料，该材料表现出了优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN112700967B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202011373861.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种高比容量的Cu2‑xSe超级电容器负极材料及其制造方法，本发明涉及超级电容器领域，具体涉及Cu2‑xSe材料应用于超级电容器领域。本发明应用于超级电容器的Cu2‑xSe材料具有较高的电导率，为电化学反应提供更快的动力学，减少电解液和电极间的界面阻力，在强碱性的水性溶液中，表现出了高达1040F g‑1的比容量。表明Cu2‑xSe材料是一种潜在的具有优异电化学性能的超级电容器负极材料。
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公开(公告)号：CN110767466A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910949326.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明是一种用于超级电容器电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍的制备方法。并首次将CoP3应用于超级电容器，属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。本发明采用低温磷化的工艺制备应用于超级电容器的电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍具有合成过程简单、易控制、成本低、比容量高的优点。该发明制备的应用于超级电容器的Ni掺杂CoP3/泡沫镍电极材料具有分级结构和较大的比表面积，有利于缩短离子的传输路径，减小电极材料和电解液间的界面阻力，提供更多的活性位点，并且在碱性电解质中，能提供较高的比容量，在电化学储能方面显示出极大的潜力。
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公开(公告)号：CN110767466B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910949326.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明是一种用于超级电容器电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍的制备方法。并首次将CoP3应用于超级电容器，属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。本发明采用低温磷化的工艺制备应用于超级电容器的电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍具有合成过程简单、易控制、成本低、比容量高的优点。该发明制备的应用于超级电容器的Ni掺杂CoP3/泡沫镍电极材料具有分级结构和较大的比表面积，有利于缩短离子的传输路径，减小电极材料和电解液间的界面阻力，提供更多的活性位点，并且在碱性电解质中，能提供较高的比容量，在电化学储能方面显示出极大的潜力。
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公开(公告)号：CN111540609A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010376302.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法,涉及复合材料及制备技术，特别是超级电容器电极材料技术领域。该材料为晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料，是晶态的MoO3、非晶态的Ni3S2、泡沫镍的混合物，以泡沫镍为自支撑基底和镍源，再起表面原位生成晶态Ni3S2纳米薄片，再在晶态Ni3S2纳米薄片上进一步合成非晶态的MoO3，获得晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料，晶态Ni3S2纳米薄片阵列排布于泡沫镍为自支撑基底表面，非晶态的MoO3，掺插于晶态Ni3S2纳米薄片之间。本发明材料一方面继承了晶态Ni3S2的高导电性，另一方面非晶态MoO3的无定型结构可能加速电荷的转移，从而促进电化学反应的进行，实现了高比电容。
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