公开(公告)号：CN104662636B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380049448.6

申请日：2013-08-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  奈尔·J·巴森 ,  威尔汉·J·普拉托

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/02 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/3002 ,  B08B7/0021 ,  H01J27/024 ,  H01J37/02 ,  H01J37/045 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明揭示一种离子源及一种清洗离子源的方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。本发明能够改善离子源的效能及延长其寿命。

公开(公告)号：CN104662636A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049448.6

申请日：2013-08-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  奈尔·J·巴森 ,  威尔汉·J·普拉托

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/02 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/3002 ,  B08B7/0021 ,  H01J27/024 ,  H01J37/02 ,  H01J37/045 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明揭示一种改善离子源的效能及延长其寿命的系统和方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。