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公开(公告)号：CN102725623B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201180007116.2
申请日：2011-01-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/17
CPC classification number: G01N21/4795 , A61B3/1225 , A61B5/0066 , G01B9/02041 , G01B9/02091 , H01L27/1464 , H01L31/02363 , H01L31/1125 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明所涉及的OCT装置的光检测器（PS）具备：硅基板（1），由第1导电类型的半导体所构成、且具有互相相对的第1主面（1a）以及第2主面（1b）、并在第1主面（1a）侧形成有第2导电类型的半导体区域（3）；电荷传送电极（5），被设置于第1主面（1a）上并传送所产生的电荷。在硅基板（1）上，在第2主面侧（1b）形成具有比硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层（11），并在第2主面（1b）上的至少与半导体区域（3）相对的区域形成不规则的凹凸（10）。在硅基板（1）的第2主面（1b）上的形成有不规则的凹凸（10）的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN108886070A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780014762.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/148 , H01L31/10
Abstract: 半导体光检测元件(SP1)具备硅基板即半导体基板(1)。半导体基板(1)具有光入射面即第二主面(1b)与相对于第二主面(1b)的第一主面(1a)。在半导体基板(1)中，相应于入射光而产生载流子。在第二主面(1b)形成有多个凸部(10)。凸部(10)具有相对于半导体基板(1)的厚度方向倾斜的斜面(10a)。在凸部(10)中，半导体基板(1)的(111)面露出而作为斜面(10a)。凸部(10)的高度为200nm以上。
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公开(公告)号：CN102326264B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080008816.9
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN108886070B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201780014762.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L27/148
Abstract: 半导体光检测元件(SP1)具备硅基板即半导体基板(1)。半导体基板(1)具有光入射面即第二主面(1b)与相对于第二主面(1b)的第一主面(1a)。在半导体基板(1)中，相应于入射光而产生载流子。在第二主面(1b)形成有多个凸部(10)。凸部(10)具有相对于半导体基板(1)的厚度方向倾斜的斜面(10a)。在凸部(10)中，半导体基板(1)的(111)面露出而作为斜面(10a)。凸部(10)的高度为200nm以上。
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公开(公告)号：CN104064621B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410320086.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542732A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780035850.3
申请日：2007-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/024 , H01L25/042 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/49175 , H04N5/2253 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光检测装置，其特征在于：在光检测装置(3)中，以被形成于光检测元件(11)的表面的第1连接焊盘区域(15)露出的方式，将配线基板(12)设置于光检测元件(11)的表面侧，在配线基板(12)上，将第2连接焊盘(17B)形成于比第1连接焊盘(17A)更靠近内侧的区域。由此，在光检测装置(3)中，可以使引线键合的形成空间位于光检测元件(11)的内侧，从而能够将配线基板(12)和光检测元件(11)制成基本相同的尺寸。其结果，在光检测装置(3)中，能够充分确保光检测元件(11)相对于该光检测装置(3)所占的面积，并在将光检测装置(3)可对接(buttable)配置于冷却板(2)时，能够实现非感应区域的缩小。
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公开(公告)号：CN105009287A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480008286.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/367 , H04N5/369
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L27/1462 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L31/10
Abstract: 背面入射型能量线检测元件(1)具备半导体基板(11)和保护膜(21)。半导体基板(11)具有作为能量线入射面的第一主面(11a)、以及与第一主面(11a)相对的第二主面(11b)，并且根据能量线的入射而产生电荷的电荷产生区域(13)设置在第二主面(11b)侧。保护膜(21)以至少覆盖电荷产生区域(13)的方式设置在半导体基板(11)的第二主面(11b)侧，并包含硅氮化物或硅氮氧化物。保护膜(21)具有缓和在保护膜(21)产生的应力的应力缓和部。
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公开(公告)号：CN104064621A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410320086.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102725623A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007116.2
申请日：2011-01-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/17
CPC classification number: G01N21/4795 , A61B3/1225 , A61B5/0066 , G01B9/02041 , G01B9/02091 , H01L27/1464 , H01L31/02363 , H01L31/1125 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明所涉及的OCT装置的光检测器（PS）具备：硅基板（1），由第1导电类型的半导体所构成、且具有互相相对的第1主面（1a）以及第2主面（1b）、并在第1主面（1a）侧形成有第2导电类型的半导体层（3）；电荷传送电极（5），被设置于第1主面（1a）上并传送所产生的电荷。在硅基板（1）上，在第2主面侧（1b）形成具有比硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层（11），并在第2主面（1b）上的至少与半导体区域（3）相对的区域形成不规则的凹凸（10）。在硅基板（1）的第2主面（1b）上的形成有不规则的凹凸（10）的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN101542732B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780035850.3
申请日：2007-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/024 , H01L25/04 , H01L31/0203 , H04N5/225
CPC classification number: H01L31/024 , H01L25/042 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/49175 , H04N5/2253 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光检测装置，其特征在于：在光检测装置(3)中，以被形成于光检测元件(11)的表面的第1连接焊盘区域(15)露出的方式，将配线基板(12)设置于光检测元件(11)的表面侧，在配线基板(12)上，将第2连接焊盘(17B)形成于比第1连接焊盘(17A)更靠近内侧的区域。由此，在光检测装置(3)中，可以使引线键合的形成空间位于光检测元件(11)的内侧，从而能够将配线基板(12)和光检测元件(11)制成基本相同的尺寸。其结果，在光检测装置(3)中，能够充分确保光检测元件(11)相对于该光检测装置(3)所占的面积，并在将光检测装置(3)可对接(buttable)配置于冷却板(2)时，能够实现非感应区域的缩小。
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