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公开(公告)号：CN118690282A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410294843.0
申请日：2024-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F18/2431 , G06N3/0464 , G06N3/09 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开一种基于GAF‑DRSN的TSV故障测试方法，该方法首先通过三维电磁仿真软件HFSS设计TSV缺陷模型，将不同缺陷的TSV所提取的S参数作为测试参数；然后利用GAF将采集到的S参数特征数据转换为二维图像；最后利用DRSN模型对转换后的TSV不同故障类型图像数据进行准确的故障识别。仿真结果表明，该方法的能有效的对各种故障类型进行分类，平均准确率达到98％以上，具有准确率高，泛化能力强等优点。
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公开(公告)号：CN114968537A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210838983.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于Fluent的批量自动化仿真方法。所述方法包括：依照实验规划自动修改参数化几何模型；能够依照实验规划自动进行网格划分；能够根据实验规划自动进行加载网格进行仿真的各项设置与求解计算；能够根据实验规划自动对仿真求解得到的结果文件进行后处理，提取数据，并输入到实验规划表中。本发明提供的技术方案操作简单快捷，能够有效缩短仿真时间，提高仿真效率。
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公开(公告)号：CN115332162B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210919105.1
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明提出了一种基于掩模光刻方法制造带有屏蔽层的导电聚合物通孔的方法，方法包括（1）通过掩模光刻方法使用可以固化的光刻胶制造通孔基柱并使其金属化，（2）通过溅射等方法在基柱外形成屏蔽层，（3）在通孔的基础上直接灌封封装聚合物形成聚合物通孔。这一方法制造的聚合物通孔适用于封装天线芯片与天线的键合，具有键合路径短、寄生电容小、抗干扰能力强的优点。
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公开(公告)号：CN115332162A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210919105.1
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明提出了一种基于掩模光刻方法制造带有屏蔽层的导电聚合物通孔的方法，方法包括（1）通过掩模光刻方法使用可以固化的光刻胶制造通孔基柱并使其金属化，（2）通过溅射等方法在基柱外形成屏蔽层，（3）在通孔的基础上直接灌封封装聚合物形成聚合物通孔。这一方法制造的聚合物通孔适用于封装天线芯片与天线的键合，具有键合路径短、寄生电容小、抗干扰能力强的优点。
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