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公开(公告)号：CN116580253A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310797157.0
申请日：2023-06-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/2433 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开一种基于GAF‑深度学习及弱电流源结构的TSV测试方法，包括首先引入格拉姆角场算法对TSV故障信号的时间域进行预处理，将一维的时间信号转换为二维的图片信息；然后利用机器视觉优势，通过一种深度学习MobileNetV2算法识别二维图片信号中的特征并进一步完成分类，其中TSV故障信号通过搭建弱电流源测试结构提取。该方法有效解决探针测试会对TSV造成二次损伤和内建自测试方法识别精度不足问题，以及针对现有方法对于TSV存在复合故障研究较少情况，对复合故障进行研究。并且该方法对不同故障位置处的微小故障进行测试，测试集准确率达到96％以上。
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公开(公告)号：CN118213286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410303133.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 基于分压器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决目前多数提出的基于时序冲突的MIV测试架构，根据MIV缺陷的类型表现出不同的充电/放电时间来检测故障，容易受到工艺电压温度变化和噪声的影响。因此，本文提出基于分压器的MIV测试体系结构，可降低测试误差同时识别各种MIV缺陷。包括：MOS管选择电路、电阻性开路故障测试单元、针孔故障测试单元、测试使能电路和比较器电路，通过MOS管选择电路选择合适沟道宽长比的MOS管，利用不同沟道宽长比的MOS管具有不同的阈值电阻，提出了基于分压器的单片三维集成电路层间通孔故障检测方法。本发明可有效降低来自不同工艺电压温度和噪声所给测试造成的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118504514A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410598392.X
申请日：2024-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06F30/27 , G06N5/01 , G06N7/01 , G06F119/02
Abstract: 本发明属于集成电路测试领域，具体涉及基于GS‑RF的单片层间通孔故障检测方法。以MIV中心导体出现的空洞、针孔和开路故障为研究对象建立故障模型，基于所建故障模型，提取发生不同故障的S参数；以MIV空洞故障半径、MIV针孔故障长度和MIV开路故障距离为数据分类依据，设置标签；建立GS‑RF分类模型，采用网格搜索(Grid Search,GS)优化算法对随机森林(Random Forest,RF)进行优化，基于随机森林算法寻找最佳参数；实现通过不同故障的S参数，利用GS‑RF模型对其进行分类处理，预测发生故障类型，提高了MIV故障检测准确率。该检测方法避免了在故障检测过程中对MIV的二次损坏，解决了传统的MIV检测方法难以对MIV故障进行准确检测且检测范围有限的问题，对于优化MIV的设计和制造过程中改进MIV故障具有一定的参考价值。
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公开(公告)号：CN118818254A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410613618.9
申请日：2024-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路测试领域，具体涉及基于岭回归的单片层间通孔开路故障定位方法。以MIV中心导体出现的开路故障为研究对象建立故障模型，基于所建故障模型，提取MIV不同位置发生开路故障的S参数；以MIV开路故障位置高度为预测依据，设置标签；建立岭回归预测模型，基于内置交叉验证寻找最佳参数；实现通过不同位置开路故障的S参数，利用岭回归预测模型对其进行回归预测处理，预测发生开路故障的位置，提高了MIV故障检测准确率和效率。该故障位置定位方法避免了在开路故障位置定位过程中对MIV的二次损坏，解决了传统的MIV检测方法难以对MIV开路故障位置进行准确故障定位的问题，对于优化MIV的设计和制造过程中改进MIV故障具有一定的参考价值。
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公开(公告)号：CN117388667A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311394308.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于的测试电路领域，具体涉及基于CAF‑WAS的单片三维集成电路层间通孔故障测试方法。所述公共测试单元，用于切换不同的测试模式，以检测MIV内是否存在开路故障、短路故障；所述开路测试单元，用于测试MIV电路中是否存在开路故障；所述短路测试单元，用于测试MIV电路中是否存在短路故障。本发明的CAF‑WAS方法按照充电‑浮空‑等待‑采样的顺序进行，能很好的对弱短路故障进行检测；为了能同时对开路故障进行测试，本发明利用NMOS形成一条伪泄漏路径对开路故障进行检测，当需要进行开路故障测试时，NMOS处于导通状态，TSV电荷经NMOS泄漏至GND。本发明通过使用基于基本延时单元的延时线技术设计了新的等待时间产生机制，对测试时间进行了优化。本发明提供一种基于CAF‑WAS的单片三维集成电路层间通孔故障测试电路及测试方法用以解决现有技术可检测故障范围有限的问题，能够测试开路故障和短路故障，一定程度上缩短了测试时间。
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公开(公告)号：CN118690282A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410294843.0
申请日：2024-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F18/2431 , G06N3/0464 , G06N3/09 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开一种基于GAF‑DRSN的TSV故障测试方法，该方法首先通过三维电磁仿真软件HFSS设计TSV缺陷模型，将不同缺陷的TSV所提取的S参数作为测试参数；然后利用GAF将采集到的S参数特征数据转换为二维图像；最后利用DRSN模型对转换后的TSV不同故障类型图像数据进行准确的故障识别。仿真结果表明，该方法的能有效的对各种故障类型进行分类，平均准确率达到98％以上，具有准确率高，泛化能力强等优点。
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公开(公告)号：CN117195806A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185664.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 基于同轴环形硅通孔(CA‑TSV)技术,提出了应用于三维集成电路中的三维螺旋电感。本文根据所设计CA‑TSV电感模型，采用COMSOL仿真软件，分析CA‑TSV电感在电磁热与热膨胀多物理场的复杂环境下的性能，从而提高电感设计的可靠性。并且本方法相较于单一电场分析，能够准确反映电感在实际应用中的表现，通过仿真结果分析了CA‑TSV结构在电热耦合下的温度响应及热力耦合下的应力响应影响规律，有助于优化其设计和提高整体电路的性能和可靠性。
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