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公开(公告)号：CN115016153A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210806316.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种可重构的定向耦合器，可应用于光通信、光互连等，属于光电子领域。本发明由两个直波导构成，其中直波导间存在一定距离，在波导两侧放置有电极，电极呈非对称分布。光信号从端口1输入，当施加电压时，两根波导间的传播常数差发生变化，使波导间耦合长度改变，当距离达到一定长度，施加电压时，光信号的输出功率发生变化，以实现电压对光信号输出的灵活调控。本发明有利于构筑可重构的光链路，为制作大规模的光开关提供了灵活性。
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公开(公告)号：CN116184697A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310250379.0
申请日：2023-03-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂(LiNbO3)晶体电光效应的2×4光波导路由器结构设计，属于光波导和光开关技术领域。本发明以铌酸锂晶体的电光效应为基础，由3个2×2对称耦合单元组成，每个对称耦合单元由上下2条波导臂组成，每条波导臂由1根直波导和2个弯曲波导组成。对称耦合单元之间通过弯曲波导连接。在耦合单元引入电极，当电极电压为0V时，光从耦合波导的一臂输入，通过数次耦合，最终从耦合波导的另一臂输出。当电极电压为50V时，光从耦合波导的一臂输入，通过数次耦合，最终从输入波导臂输出。通过电极的开关，光路由器可以实现光从2个输入端口的任意一口输入，选择性地从4个输出端口的任意一口输出。相比于其他材料的电光效应，铌酸锂材料的响应速度更快，本方案为高速灵活的光互连网络提供了选择。
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公开(公告)号：CN116736564A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310665037.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种基于石墨烯电极的聚合物三维波导模式光开关，属于集成光电子学技术领域。该模式光开关由衬底、包层、芯层和掩埋在包层中的石墨烯电极构成，芯层被包覆在包导之中，芯层分为下层芯层和上层芯层二部分，下层芯层为Core1单直波导结构，上层芯层为输入端和输出端带有S型弯曲的Core2和Core3双直波导结构，Core2和Core3位于同一平面内；石墨烯电极位于Core2和Core3直波导的上方，与Core2和Core3直波导保持一定的垂直距离。通过设置不同的波导结构尺寸，可以分别实现TE11与TE12，TE11与TE22两对模式之间的复用/解复用；通过石墨烯电极产生的热量改变聚合物材料的折射率，可以实现模式光开关功能。器件功耗低，消光比高，可应用于可重构模分复用光网络中。
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公开(公告)号：CN115332162B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210919105.1
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明提出了一种基于掩模光刻方法制造带有屏蔽层的导电聚合物通孔的方法，方法包括（1）通过掩模光刻方法使用可以固化的光刻胶制造通孔基柱并使其金属化，（2）通过溅射等方法在基柱外形成屏蔽层，（3）在通孔的基础上直接灌封封装聚合物形成聚合物通孔。这一方法制造的聚合物通孔适用于封装天线芯片与天线的键合，具有键合路径短、寄生电容小、抗干扰能力强的优点。
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公开(公告)号：CN116841061A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310636334.7
申请日：2023-06-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种可重构的2×4电光开关结构，可应用于光互联、光通信等，属于光电子领域。本发明由三个定向耦合器结构，两个S弯曲波导以及一个弧形弯曲波导构成，电极放置在定向耦合器结构的两侧，在每一个定向耦合器中含有一组电极，其中三组电极独立控制。光信号从端口1输入，通过对不同的电极组施加不同的电压，使输出信号在输出端口出现不同的组合方式，以实现电压对光信号输出的灵活调控。本发明有利于构建可重构的光链路，为制作大规模的光开关提供了灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118068626A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410381296.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/313
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的可重构模式开关的结构设计，属于光波导开关和模分复用领域。本发明的基础为铌酸锂晶体的电光效应。本发明主要的结构为两个对称定向耦合单元DC1和DC2，当电极不工作时，E21模式在DC1中耦合，进入相邻波导，E31模式在DC2中耦合，进入相邻波导。当DC1中工作电压为25.8V时，E21模式在DC1处的耦合几乎完全被抑制，DC2中工作电压为16.9V时，E31模式在DC2处的耦合被完全抑制，由此实现波导模式的可重构分差复用，为可重构模分复用网络提供了选择。
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公开(公告)号：CN116736561A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310160262.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于多模干涉耦合器的4×4热光开关，可应用于光通信、光互联、光计算中，属于光电技术领域。整个光开关器件基于多模干涉耦合器结构，从左至右沿光传播方向，依次由输入波导、多模干涉分束器、连接波导、多模干涉合束器、输出波导构成；输入波导与多模干涉分束器连接，输出波导与多模干涉合束器连接，多模干涉分束器与多模干涉合束器通过连接波导连接，且连接波导上均设有用于加热波导的电极加热器，通过控制电极加热器温度，利用聚合物材料的热光效应，改变材料的折射率进而导致光相位改变，最后经多模干涉耦合器的自映像效应实现不同的开关状态。本发明具有结构紧凑、具有多种开关状态、开关损耗与路径无关等优点，可作为光开关单元或经扩展后应用于片上光网路。
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公开(公告)号：CN116719122A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211388540.2
申请日：2022-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于级联垂直波导定向耦合器的模式解复用器，以硅片为衬底，由三个波导Core1、Core2、Core3组成，三个波导从下至上均为聚合物结构；Core1为多模波导，位于三维模式复用器的中间位置，支持E11、E12、E21模式；Core2和Core3为少模波导，支持E11、E21模式。少模波导Core2和Core3放置在多模波导Core1横截面的Y轴正方向，与Core1构成垂直方向的非对称定向耦合器。当E11、E12、E21模式从Core1输入端输入沿直波导经过耦合区域时，通过模式的耦合，分别以基模在少模波导中传输，从而实现三模式的解复用。该解复用器在波长1480‑1600nm（C+L波段）范围内可实现高于96%的模式转换效率，通过级联垂直波导定向耦合器或水平波导定向耦合器，扩展成更高阶模式的解复用的器件，具有结构简单、扩展性强的优点，该模式解复用器由芯、包层材料折射率相差0.085的聚合物材料组成，与传统的由低折射差的聚合物材料组成的模式解复用器相比，该解复用器件具有更小的结构尺寸（长840um×宽15um×高7.2um），在三维波导模式复用领域具有重要的应用价值和发展前景。
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公开(公告)号：CN116580253A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310797157.0
申请日：2023-06-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/2433 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开一种基于GAF‑深度学习及弱电流源结构的TSV测试方法，包括首先引入格拉姆角场算法对TSV故障信号的时间域进行预处理，将一维的时间信号转换为二维的图片信息；然后利用机器视觉优势，通过一种深度学习MobileNetV2算法识别二维图片信号中的特征并进一步完成分类，其中TSV故障信号通过搭建弱电流源测试结构提取。该方法有效解决探针测试会对TSV造成二次损伤和内建自测试方法识别精度不足问题，以及针对现有方法对于TSV存在复合故障研究较少情况，对复合故障进行研究。并且该方法对不同故障位置处的微小故障进行测试，测试集准确率达到96％以上。
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公开(公告)号：CN115332162A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210919105.1
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明提出了一种基于掩模光刻方法制造带有屏蔽层的导电聚合物通孔的方法，方法包括（1）通过掩模光刻方法使用可以固化的光刻胶制造通孔基柱并使其金属化，（2）通过溅射等方法在基柱外形成屏蔽层，（3）在通孔的基础上直接灌封封装聚合物形成聚合物通孔。这一方法制造的聚合物通孔适用于封装天线芯片与天线的键合，具有键合路径短、寄生电容小、抗干扰能力强的优点。
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