公开(公告)号：CN109427581B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201710765588.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  刘锐鸣 ,  刘芹 ,  朱为为 ,  唐革 ,  姚震洋 ,  高军 ,  邹昌

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。