公开(公告)号：CN109494206B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201710816587.7

申请日：2017-09-12

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱为为 ,  刘芹 ,  谢腾飞 ,  唐革 ,  操国宏 ,  颜骥 ,  王政英 ,  姚震洋

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明公开了一种晶闸管，包括自上至下依次设置的管盖、上钼片、芯片、下钼片和管座，所述管盖上与所述上钼片接触的一侧设有用于引出门极线的预设路径，所述预设路径包括预设段长的第一引出孔，所述预设路径的其他段设有第二引出孔或引出槽。应用本发明公开的晶闸管，通过在管盖上设置第一引出孔将门极线引出，以防止上钼片旋转对门极线进行拉扯而影响晶闸管门极的导通，且在封装过程中，降低门极组装难度，且保证上钼片与芯片的直接接触，保证装置的散热。

公开(公告)号：CN107784142B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201610780319.X

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 谢腾飞 ,  颜骥 ,  任亚东 ,  张明 ,  曾文彬 ,  刘应 ,  孙文伟 ,  郭金童 ,  唐豹

IPC: G06F30/23

Abstract: 本发明涉及一种半导体功率组件的热仿真方法，所述半导体功率组件包括至少两个子构件，所述半导体功率组件的热仿真方法包括：建立多个子构件的有限元模型库；从所述有限元模型库中选择子构件的有限元模型，并进行装配以形成半导体功率组件的有限元模型；以及对所述半导体功率组件的有限元模型进行热仿真计算。通过这种方法能够以较高的效率进行热仿真。