成膜装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103283011A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201180062688.0

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 一种成膜装置,具备:L/UL室;H室,与L/UL室连通;SP室,与H室连通,并且被分割为独立的第一空间和第二空间;成膜单元,分别配置在第一空间及第二空间中;真空排气装置,独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中,并用于分别真空排气这些的内部;四条线路,由贯通L/UL室及H室,并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成;运送装置,将被处理体沿着去路或回路运送;以及移动机构,在第一空间及第二空间的内部,将运送装置从去路向回路移动。

    溅射方法及溅射装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101370959A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200780002218.9

    申请日:2007-01-11

    Abstract: 提供一种溅射方法及溅射装置,在使用交流电源溅射成膜时,迅速检测出电弧放电的发生并切断交流电源的输出,可减小电弧放电时的能量并有效防止微粒和溅沫的发生。在真空室内11内设置的一对靶41a、41b上,通过交流电源E以规定的频率交替改变极性地施加电压,将各靶交替切换成为阳极电极、阴极电极,在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电形成等离子体气氛,从而对各靶进行溅射。并检测出向一对靶中输出的电压波形,当判断该输出电压波形的电压降时间比正常辉光放电的时间更短时,切断交流电源的输出。

    阴极单元
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103459653A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201180069851.6

    申请日:2011-11-21

    CPC classification number: C23C14/3407 H01J37/34 H01J37/3435

    Abstract: 该阴极单元(220)用于成膜装置(200),包括:多个靶(C1、C2、C3),设置在成膜空间(50)内,并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207),所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212),多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内;多个控制部(E1、E2、E3),使所述旋转轴(207)旋转,并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压;多个磁场生成部(H1、H2、H3),设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置,使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。

    用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置

    公开(公告)号:CN102097270A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010580566.8

    申请日:2010-12-09

    Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置,其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域,使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上,所述磁铁组设置在靶的下侧,在靶的上方形成隧道形的磁力线,所述述磁铁组包括:沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁,以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁,用以改变靶一侧的极性,还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部,即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。

    溅射方法及溅射装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101370959B

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN200780002218.9

    申请日:2007-01-11

    Abstract: 提供一种溅射方法及溅射装置,在使用交流电源溅射成膜时,迅速检测出电弧放电的发生并切断交流电源的输出,可减小电弧放电时的能量并有效防止微粒和溅沫的发生。在真空室内11内设置的一对靶41a、41b上,通过交流电源E以规定的频率交替改变极性地施加电压,将各靶交替切换成为阳极电极、阴极电极,在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电形成等离子体气氛,从而对各靶进行溅射。并检测出向一对靶中输出的电压波形,当判断该输出电压波形的电压降时间比正常辉光放电的时间更短时,切断交流电源的输出。

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