公开(公告)号：CN101663614A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880013121.2

申请日：2008-04-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 滑川巧 ,  羽根功二 ,  末代政辅 ,  砂贺芳雄 ,  汤山纯平 ,  诹访秀则

IPC: G02F1/1339 ,  B05D1/26 ,  B05D3/00

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/13394

Abstract: 本发明提供不产生条纹的衬垫料的配置技术。通过计算机(8)使随机数产生，按产生的每一个使其与喷出对象物(10)的喷出位置(11)一对一地对应，在计算机(8)内部的存储装置(9)中存储。基于存储的随机数，按喷出位置(11)的每一个求取系数值，将系数值乘以按各喷嘴孔(N 1 ～N n )的每一个设定的电压值，对按各喷出位置(11)的每一个求取的个别电压值进行计算。以与喷出位置(11)对应的个别电压值对喷出头(4)内的压电元件施加电压，当从喷出头(4)内设置的多个喷嘴孔(N 1 ～N n )喷出包含衬垫料的喷出液时，在喷出对象物(10)上配置按照随机数的个数的衬垫料。

公开(公告)号：CN101663614B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200880013121.2

申请日：2008-04-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 滑川巧 ,  羽根功二 ,  末代政辅 ,  砂贺芳雄 ,  汤山纯平 ,  诹访秀则

IPC: G02F1/1339 ,  B05D1/26 ,  B05D3/00

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/13394

Abstract: 本发明提供不产生条纹的衬垫料的配置技术。通过计算机(8)使随机数产生，按产生的每一个使其与喷出对象物(10)的喷出位置(11)一对一地对应，在计算机(8)内部的存储装置(9)中存储。基于存储的随机数，按喷出位置(11)的每一个求取系数值，将系数值乘以按各喷嘴孔(N1～Nn)的每一个设定的电压值，对按各喷出位置(11)的每一个求取的个别电压值进行计算。以与喷出位置(11)对应的个别电压值对喷出头(4)内的压电元件施加电压，当从喷出头(4)内设置的多个喷嘴孔(N1～Nn)喷出包含衬垫料的喷出液时，在喷出对象物(10)上配置按照随机数的个数的衬垫料。

公开(公告)号：CN100523282C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200410045720.6

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤重光 ,  末代政辅 ,  大空弘树 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  石桥晓 ,  太田淳

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/086 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3455

Abstract: 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。

公开(公告)号：CN1281781C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02147047.2

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 末代政辅 ,  宍仓真人 ,  大空弘树

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供连续进行溅射处理的技术。具体地说，在本发明的溅射方法中，把第一基板送入垂直设有靶的处理室中并且使该第一基板平行于该靶，在所述处理室内输入溅射气体地溅射该靶并由此在该第一基板的表面上形成膜。本发明规定，在该处理室通过闸阀与输送室连接的情况下，在该第一基板的溅射过程中，打开所述闸阀地把随后要进行溅射处理的第二基板送入该处理室中。由于在溅射中在处理室中送入未处理的基板，所以送入时间没有白白浪费掉。

公开(公告)号：CN1572900A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045720.6

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤重光 ,  末代政辅 ,  大空弘树 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  石桥晓 ,  太田淳

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/086 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3455

Abstract: 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。

公开(公告)号：CN1414134A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02147047.2

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 末代政辅 ,  宍仓真人 ,  大空弘树

IPC: C23C14/34

Abstract: 提供连续进行溅射处理的技术。在使处理室内的保持板12处于竖立姿势，溅射靶26地在保持于保持板12上的基板5a的表面上形成薄膜，在此过程中，使未处理的基板5b承载于在输送室内的基板输送机械手的手43上，使输送室内压力与处理室内压力变成一样并把基板5b送入处理室中，并将基板承载于处于水平姿势的保持板11上。由于在溅射中在处理室中送入未处理的基板，所以送入时间没有白白浪费掉。