公开(公告)号：CN101784693A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103599.4

申请日：2008-08-18

Applicant: 株式会社爱发科 ,  夏普株式会社

Inventor： 矶部辰德 ,  小松孝 ,  佐藤重光 ,  大空弘树 ,  谷口英男 ,  川口昌男

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/352 ,  C03C17/2453 ,  C03C2217/231 ,  C03C2217/948 ,  C03C2218/155 ,  C03C2218/156

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生，能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室(12)内与处理基板(S)相对并且以规定间隔并列设置的多片靶(41a)至(41h)中各成对的靶施加电力，并按照规定的频率交替改变极性，将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电，形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地停止向各个靶施加电力。

公开(公告)号：CN1904132B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610107627.2

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少4片的靶(241)和逐一地连接以便对并列地设置的靶中的2片靶交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E)，将各交流电源(E)连接到互不相邻的2片靶(241)上。

公开(公告)号：CN102131949A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133226.6

申请日：2009-10-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡井美和 ,  齐藤一也 ,  小松孝 ,  水野雄介 ,  太田淳 ,  黑岩俊二

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/56 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/202 ,  C23C14/042 ,  C23C14/56 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02642 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 该掩模包括：平板状的第一部分(44)，具有在相当于基板(11)的成膜区域(S1)的位置形成的开口部(41)和侧部，以平板状的第一部分(44)与所述基板(11)的被成膜面(11a)重叠的方式配置所述基板(11)；第二部分(43)，沿着所述第一部分(44)的所述侧部设置，覆盖所述基板(11)的侧面的至少一部分，在多张所述掩模(40、40a、40b、140、142、240、240a、240b、340、340a、340b)向其侧方排列时，彼此邻接的两张所述掩模的所述第二部分(43)分别互相重合，从而形成重合部(B)。

公开(公告)号：CN102047440A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119948.6

申请日：2009-07-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡井美和 ,  齐藤一也 ,  小松孝 ,  崎尾进 ,  若井雅文 ,  黑岩俊二

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种太阳能电池单元的制造方法，包括：刻划工序，在基板(11)上通过依次层积第一电极层(13)、光电转换层(14)和第二电极层(15)而形成光电转换体(12)之后，形成将光电转换体(12)电分离为多个划分部的槽，在所述刻划工序中，形成第一槽(18)、第二槽(19)、第三槽(24)、以及第四槽(50)，在所述刻划工序之后，具有形成绝缘层(31、51)的绝缘层形成工序以及形成配线层(30)的配线层形成工序，所述配线层(30)从露出于所述第二槽(19)的底面的所述第一电极层(13)，经过所述第二槽(19)的内部和所述绝缘层(31、51)的表面，到达配置在所述第四槽(50)的与所述第二槽(19)相反的一侧的所述第二电极层(15)的表面，电连接所述多个划分部。

公开(公告)号：CN101427609B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780014739.6

申请日：2007-04-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小松孝 ,  中村久三 ,  片桐弘明 ,  谷典明 ,  斋藤一也

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G09F9/40

CPC classification number: C09K11/565 ,  H01L27/3267 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供能够由薄膜晶体管驱动且高亮度的显示装置。在基板(111)上形成低电压驱动的无机发光层(121)和控制晶体管(105)，并且由控制晶体管(105)控制施加到无机发光层(121)上的电压。由于无机发光层(121)抗热或抗破坏性强，所以可以由溅射法形成。在同一基板上形成顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置，可以从同一位置放射发光光线。

公开(公告)号：CN1916232B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610115520.2

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大石祐一 ,  小松孝 ,  中村肇 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  谷典明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种靶组合体，在利用通过接合材料接合靶和背板而构成的靶组合体进行溅射时，靶和背板的接合面也不会暴露于等离子体中，进而，可以防止诱发溅射时的异常放电。在本发明的靶组合体中，把具有规定形状的溅射用靶31a～31f与背板32a～32f的接合面的面积，设定得比靶的最大横截面积小。

公开(公告)号：CN101528972A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039552.1

申请日：2007-10-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大石祐一 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  新井真

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶，用溅镀形成规定薄膜的情况下，抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a～31h投入电力，用溅镀形成规定的薄膜期间，使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时，使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶，以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时，使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。

公开(公告)号：CN100535178C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510056364.2

申请日：2005-03-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  石桥晓 ,  小松孝 ,  谷典明 ,  清田淳也 ,  太田淳 ,  中村久三 ,  中村肇 ,  田口信一郎 ,  大石祐一

IPC: C23C14/35

Abstract: 现有的磁控管溅射装置中，在成膜期间，使磁铁装配体连续移动，使靶前方的等离子体摇动，变得容易发生异常放电。为克服上述问题，本发明溅射方法及其装置，对最初处理衬底S成膜结束，把下一个衬底搬运到与靶对向位置的时候，使靶前方形成的磁通相对靶平行移动并保持，在这种状态下成膜。

公开(公告)号：CN1916231A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610111086.0

申请日：2006-08-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大石祐一 ,  小松孝 ,  中村肇 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  谷典明

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 在利用由接合材料接合靶和背板而构成的靶组合体、通过溅射进行成膜时，接合时发生翘曲，则处理基板面内膜厚变得不均匀。本发明介由从背板的靶向外侧伸出的部分(42a)，把由靶(41)和通过接合材料接合的背板(42)构成的靶组合体安装到溅射电极主体(4)上。然后，设置沿对于靶的溅射面相正交的方向，向靶组合体的中央区域施加拉张力或者按压力的任何一方的翘曲校正单元(7)。

公开(公告)号：CN102312206B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201010215176.0

申请日：2010-06-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大野遥平 ,  矶部辰德 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  小松孝

IPC: C23C14/35

Abstract: 提供一种溅射方法，以简单的方法防止被处理基板外周部的膜层下垂，实现均匀的膜厚分布。在同一平面上并列设置至少三个靶对，在该靶的后方平行配置磁回路，由前述并列设置方向两端的靶对上连接的溅射电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶对夹持的靶对上连接的溅射电源所供给的电力，并且，提高与前述磁回路并列设置方向垂直的方向上的两端部的磁场强度。