公开(公告)号：CN115249625A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210261055.2

申请日：2022-03-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 堤贤吾 ,  小野洋平 ,  邻嘉津彦 ,  田代征仁

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种无须变更喷淋板，不改变激发后的蚀刻气体的生成条件，就能调节蚀刻对象物表面上的激发后的蚀刻气体的浓度分布的干蚀刻装置(EM)。其具备：第一喷淋板(4)，其在真空室(1)内与蚀刻对象物(Sw)相向配置，设置有多个第一喷出口(4a)；气体供给装置(5、6)，其向与真空室内隔绝、并与第一喷淋板的各第一喷出口接续的空间(Sp)中供给激发了的蚀刻气体。上述空间(Sp)被划分成多个，在这些划分出的各空间(S1、S2)中还设置有可导入进行了流量控制的惰性气体的惰性气体导入装置(51、52、71、72、71a、72a)，通过按空间导入的惰性气体的流量控制，自由调节向各空间导入的蚀刻气体的分配比例。

公开(公告)号：CN100492599C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200580021978.5

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高桥诚一 ,  宫谷武尚 ,  林秀夫 ,  佐藤真幸 ,  堤贤吾 ,  小野洋平

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67751

Abstract: 本发明提供一种处理室的更换容易的真空处理装置，本发明的真空处理装置(1)具有处理室(20)和输出输入室(10)。输出输入室(10)固定在处理室(20)的上方位置。另一方面，处理室(20)可通过升降机构(50)下降，所以若使处理室(20)下降，则处理室(20)从输出输入室(10)分离。此外，在处理室(20)上连接有搬运机构(30)，所以在从输出输入室(10)拆下处理室(20)后，也容易搬运处理室(20)。这样，根据本发明，与以往相比更换处理室(20)的操作变得简单容易。

公开(公告)号：CN119480684A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411013627.0

申请日：2024-07-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  小野洋平 ,  孙珍赫 ,  朴俊唱 ,  李炫和 ,  裵真珠

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供在放电管中生成的等离子体中能够抑制有助于前体生成的特性的降低的蚀刻方法。蚀刻方法包括：在具备由无机氧化物构成的内表面的放电管(24A)中生成包含氢和氮的反应等离子体，将反应等离子体供给至连接有放电管(24A)的蚀刻腔室(11)；以及使用包含氟的气体和反应等离子体，在蚀刻腔室(11)中生成包含氟和氢的前体，将前体供给至配置在蚀刻腔室(11)中的基板。蚀刻方法包括：将氢等离子体供给至生成了反应等离子体的放电管(24A)的内表面；以及将氧等离子体供给至被供给了氢等离子体的内表面。

公开(公告)号：CN118352213A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311823931.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  井上宽扬 ,  小野洋平 ,  朴俊唱 ,  金洹渶

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能抑制蚀刻速度降低的蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置(10)构成为通过向基板具备的含硅膜供给含氟气体和等离子体而蚀刻含硅膜。蚀刻装置(10)具备：照射微波的放电管(24A)；和向放电管(24A)供给混合气体的混合气体供给部(21)。放电管(24A)构成为生成混合气体的等离子体。混合气体含有氢原子、氮原子以及氧原子，放电管(24A)以氧化铝为主要成分而构成。

公开(公告)号：CN116137226A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211414042.0

申请日：2022-11-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 桥本笃明 ,  隣嘉津彦 ,  小野洋平 ,  堤贤吾 ,  井上宽扬

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够抑制基板间的蚀刻量的分布的蚀刻方法和蚀刻装置。收纳在真空槽中的多个基板分别具备第1处理对象和第2处理对象。第1处理对象为硅氧化物层(53)，第2处理对象为硅氮化物层(51)或者被硅氧化物层(53)覆盖的硅层(52)。蚀刻方法包括下述工序：第1工序，将NH3气体和HF气体导入至真空槽，由此对第1处理对象进行蚀刻；以及第2工序，在第1工序后，将由包含NH3气体的气体生成的等离子体和NF3气体供给至真空槽，由此对第2处理对象进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1977363A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021978.5

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高桥诚一 ,  宫谷武尚 ,  林秀夫 ,  佐藤真幸 ,  堤贤吾 ,  小野洋平

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67751

Abstract: 本发明提供一种处理室的更换容易的真空处理装置，本发明的真空处理装置(1)具有处理室(20)和输出输入室(10)。输出输入室(10)固定在处理室(20)的上方位置。另一方面，处理室(20)可通过升降机构(50)下降，所以若使处理室(20)下降，则处理室(20)从输出输入室(10)分离。此外，在处理室(20)上连接有搬运机构(30)，所以在从输出输入室(10)拆下处理室(20)后，也容易搬运处理室(20)。这样，根据本发明，与以往相比更换处理室(20)的操作变得简单容易。