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公开(公告)号：CN116137226A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211414042.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够抑制基板间的蚀刻量的分布的蚀刻方法和蚀刻装置。收纳在真空槽中的多个基板分别具备第1处理对象和第2处理对象。第1处理对象为硅氧化物层(53)，第2处理对象为硅氮化物层(51)或者被硅氧化物层(53)覆盖的硅层(52)。蚀刻方法包括下述工序：第1工序，将NH3气体和HF气体导入至真空槽，由此对第1处理对象进行蚀刻；以及第2工序，在第1工序后，将由包含NH3气体的气体生成的等离子体和NF3气体供给至真空槽，由此对第2处理对象进行蚀刻。
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