公开(公告)号：CN118352213A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311823931.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  井上宽扬 ,  小野洋平 ,  朴俊唱 ,  金洹渶

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能抑制蚀刻速度降低的蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置(10)构成为通过向基板具备的含硅膜供给含氟气体和等离子体而蚀刻含硅膜。蚀刻装置(10)具备：照射微波的放电管(24A)；和向放电管(24A)供给混合气体的混合气体供给部(21)。放电管(24A)构成为生成混合气体的等离子体。混合气体含有氢原子、氮原子以及氧原子，放电管(24A)以氧化铝为主要成分而构成。

公开(公告)号：CN116137226A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211414042.0

申请日：2022-11-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 桥本笃明 ,  隣嘉津彦 ,  小野洋平 ,  堤贤吾 ,  井上宽扬

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够抑制基板间的蚀刻量的分布的蚀刻方法和蚀刻装置。收纳在真空槽中的多个基板分别具备第1处理对象和第2处理对象。第1处理对象为硅氧化物层(53)，第2处理对象为硅氮化物层(51)或者被硅氧化物层(53)覆盖的硅层(52)。蚀刻方法包括下述工序：第1工序，将NH3气体和HF气体导入至真空槽，由此对第1处理对象进行蚀刻；以及第2工序，在第1工序后，将由包含NH3气体的气体生成的等离子体和NF3气体供给至真空槽，由此对第2处理对象进行蚀刻。

公开(公告)号：CN112204713A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980035215.8

申请日：2019-05-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  井上宽扬

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 氧化膜除去方法包括：通过向包含于处理对象(S)的硅氧化膜供给含有氟和氢的蚀刻剂，从而生成挥发性比硅氧化膜高的反应生成物；通过向反应生成物赋予用于反应生成物挥发的能量，从而将反应生成物从处理对象(S)上除去。将反应生成物除去包括将处理对象(S)的温度维持为低于80℃的温度。