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发明公开
蚀刻方法审中-实审

公开(公告)号：CN119480684A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411013627.0

申请日：2024-07-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 , 小野洋平 , 孙珍赫 , 朴俊唱 , 李炫和 , 裵真珠

IPC: H01L21/67 , H01L21/311

Abstract: 本发明提供在放电管中生成的等离子体中能够抑制有助于前体生成的特性的降低的蚀刻方法。蚀刻方法包括：在具备由无机氧化物构成的内表面的放电管(24A)中生成包含氢和氮的反应等离子体，将反应等离子体供给至连接有放电管(24A)的蚀刻腔室(11)；以及使用包含氟的气体和反应等离子体，在蚀刻腔室(11)中生成包含氟和氢的前体，将前体供给至配置在蚀刻腔室(11)中的基板。蚀刻方法包括：将氢等离子体供给至生成了反应等离子体的放电管(24A)的内表面；以及将氧等离子体供给至被供给了氢等离子体的内表面。

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