公开(公告)号：CN118352213A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311823931.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  井上宽扬 ,  小野洋平 ,  朴俊唱 ,  金洹渶

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能抑制蚀刻速度降低的蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置(10)构成为通过向基板具备的含硅膜供给含氟气体和等离子体而蚀刻含硅膜。蚀刻装置(10)具备：照射微波的放电管(24A)；和向放电管(24A)供给混合气体的混合气体供给部(21)。放电管(24A)构成为生成混合气体的等离子体。混合气体含有氢原子、氮原子以及氧原子，放电管(24A)以氧化铝为主要成分而构成。

公开(公告)号：CN119480684A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411013627.0

申请日：2024-07-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 ,  小野洋平 ,  孙珍赫 ,  朴俊唱 ,  李炫和 ,  裵真珠

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供在放电管中生成的等离子体中能够抑制有助于前体生成的特性的降低的蚀刻方法。蚀刻方法包括：在具备由无机氧化物构成的内表面的放电管(24A)中生成包含氢和氮的反应等离子体，将反应等离子体供给至连接有放电管(24A)的蚀刻腔室(11)；以及使用包含氟的气体和反应等离子体，在蚀刻腔室(11)中生成包含氟和氢的前体，将前体供给至配置在蚀刻腔室(11)中的基板。蚀刻方法包括：将氢等离子体供给至生成了反应等离子体的放电管(24A)的内表面；以及将氧等离子体供给至被供给了氢等离子体的内表面。