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发明公开
蚀刻装置及蚀刻方法审中-实审

公开(公告)号：CN118352213A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311823931.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 隣嘉津彦 , 井上宽扬 , 小野洋平 , 朴俊唱 , 金洹渶

IPC: H01J37/32 , H01L21/67

Abstract: 提供一种能抑制蚀刻速度降低的蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置(10)构成为通过向基板具备的含硅膜供给含氟气体和等离子体而蚀刻含硅膜。蚀刻装置(10)具备：照射微波的放电管(24A)；和向放电管(24A)供给混合气体的混合气体供给部(21)。放电管(24A)构成为生成混合气体的等离子体。混合气体含有氢原子、氮原子以及氧原子，放电管(24A)以氧化铝为主要成分而构成。

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