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公开(公告)号：CN109844168A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201880003956.3
申请日：2018-03-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供一种具有不使真空室对大气开放而可进行靶交换的构造的溅射装置用阴极单元。具有靶(Tg1，Tg2)并装设在真空室(Vc)内的本发明的溅射装置用阴极单元(CU)，其特征在于，包括：支撑框体(1)，其装设在真空室的外壁上；环形的可动座(2)，其受支撑框体支撑并可相对于真空室接近远离地进退；旋转轴体(3)，其受该可动座枢转支撑以便使可动座的内部空间(23)与靶的溅射面平行地延伸；至少一个靶支架(51，52)，以旋转轴体的轴线方向为X轴方向，以与X轴方向正交的可动座的进退方向为Z轴方向，所述靶支架朝旋转轴体的径向突出地设置在旋转轴体上，靶装卸自如地安装在所述靶支架的前端面上；准备室(Rc)，其设置在支撑框体的从Z轴方向上距离真空室的外壁面规定间隔的部分上，具有开关门(Rd)，且所述准备室独立于真空室并真空排气自如，并设置有使真空气氛的准备室回到大气压的排气阀Vv；以及一对真空波纹管(71，72)，其设置在可动座和准备室之间以及可动座和真空室之间并围绕靶支架；在靶支架上设置隔绝部(51a，51b)，在靶支架位于Z轴上且以靶朝向真空室侧的姿态使可动座在Z轴方向上相对于真空室进行接近移动到成膜位置上，隔绝部与形成在真空室上的第一开口(Vc1)的周边部紧密贴合，隔绝靶所在的真空室内部，并且以靶朝向准备室侧的姿态使可动座在Z轴方向上相对于真空室进行远离移动到更换位置上，隔绝部与形成在准备室上的第二开口(Rc2)的周边部紧密贴合，隔绝靶所在的准备室内部，隔绝部在远离第一开口和第二开口的可动座的中立位置上还具有使旋转轴体绕X轴旋转的旋转机构。
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公开(公告)号：CN114481058A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111281677.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元，挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a)，其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口(51)，所述第一开口与该被处理基板具有同样的轮廓，冷却单元具有第一冷媒通道(55)，其设置在第一挡板部上，并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。
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公开(公告)号：CN111263831B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980004189.2
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴极装置(20)具备：旋转板(26)，其固定有磁路(27)；旋转机构(21)，其接受电机(21M)的动力，使旋转板(26)绕旋转轴(25)旋转；直线运动型并行连杆机构(22～24)，其具备将旋转轴(25)支承为能够旋转的末端执行器(24)、前端与末端执行器(24)连接且从末端执行器(24)以放射状延伸的六根连杆(23)、分别接受直线运动致动器(22M)的动力而使相邻的两根连杆(23)的基端沿着一方向移动的三个直线运动机构(22)；以及控制部(30)，其对旋转轴(25)基于各直线运动致动器(22M)的协调动作的位置变更以及旋转轴(25)基于电机(21M)动作的旋转进行控制。
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公开(公告)号：CN109844168B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201880003956.3
申请日：2018-03-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供一种具有不使真空室对大气开放而可进行靶交换的构造的溅射装置用阴极单元。具有靶(Tg1，Tg2)并装设在真空室(Vc)内的本发明的溅射装置用阴极单元(CU)，其特征在于，包括：支撑框体(1)，其装设在真空室的外壁上；环形的可动座(2)，其受支撑框体支撑并可相对于真空室接近远离地进退；旋转轴体(3)，其受该可动座枢转支撑以便使可动座的内部空间(23)与靶的溅射面平行地延伸；至少一个靶支架(51，52)，以旋转轴体的轴线方向为X轴方向，以与X轴方向正交的可动座的进退方向为Z轴方向，所述靶支架朝旋转轴体的径向突出地设置在旋转轴体上，靶装卸自如地安装在所述靶支架的前端面上；准备室(Rc)，其设置在支撑框体的从Z轴方向上距离真空室的外壁面规定间隔的部分上，具有开关门(Rd)，且所述准备室独立于真空室并真空排气自如，并设置有使真空气氛的准备室回到大气压的排气阀Vv；以及一对真空波纹管(71，72)，其设置在可动座和准备室之间以及可动座和真空室之间并围绕靶支架；在靶支架上设置隔绝部(51a，51b)，在靶支架位于Z轴上且以靶朝向真空室侧的姿态使可动座在Z轴方向上相对于真空室进行接近移动到成膜位置上，隔绝部与形成在真空室上的第一开口(Vc1)的周边部紧密贴合，隔绝靶所在的真空室内部，并且以靶朝向准备室侧的姿态使可动座在Z轴方向上相对于真空室进行远离移动到更换位置上，隔绝部与形成在准备室上的第二开口(Rc2)的周边部紧密贴合，隔绝靶所在的准备室内部，隔绝部在远离第一开口和第二开口的可动座的中立位置上还具有使旋转轴体绕X轴旋转的旋转机构。
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公开(公告)号：CN109314078A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780035954.8
申请日：2017-05-26
Applicant: 株式会社爱发科 , 爱发科低温泵株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种在真空腔内一边将被处理物冷却到极低温一边将其可旋转自如地保持的保持装置。在真空腔(1)内一边冷却被处理物W一边旋转自如地保持的保持装置HS具有设置被处理物的平台(1)和旋转自如地支撑平台的旋转驱动装置(2)及冷却平台的冷却装置(3)。设置被处理物的平台表面朝上，旋转驱动装置具有在真空腔的腔壁壁表面上通过真空密封件(22)贯穿安装的筒状旋转轴体(21)和用以在平台下方划分出空间(24)连接旋转轴体的上端和平台下表面的连接部件(23)及旋转驱动旋转轴体的驱动马达(25)，冷却装置具有在平台下方的空间有缝隙并相对于平台的下表面设置的冷却面板(31)和插入到旋转轴体内并与冷却面板的下表面抵接的传热轴体及冷却传热轴体的冷冻机(33)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114481058B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111281677.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元，挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a)，其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口轮廓，冷却单元具有第一冷媒通道(55)，其设置在第一挡板部上，并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。(51)，所述第一开口与该被处理基板具有同样的
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公开(公告)号：CN109314078B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201780035954.8
申请日：2017-05-26
Applicant: 株式会社爱发科 , 爱发科低温泵株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种在真空腔内一边将被处理物冷却到极低温一边将其可旋转自如地保持的保持装置。在真空腔(Vc)内一边冷却被处理物W一边旋转自如地保持的保持装置HS具有设置被处理物的平台(1)和旋转自如地支撑平台的旋转驱动装置(2)及冷却平台的冷却装置(3)。设置被处理物的平台表面朝上，旋转驱动装置具有在真空腔的腔壁壁表面上通过真空密封件(22)贯穿安装的筒状旋转轴体(21)和用以在平台下方划分出空间(24)连接旋转轴体的上端和平台下表面的连接部件(23)及旋转驱动旋转轴体的驱动马达(25)，冷却装置具有在平台下方的空间有缝隙并相对于平台的下表面设置的冷却面板(31)和插入到旋转轴体内并与冷却面板的下表面抵接的传热轴体及冷却传热轴体的冷冻机(33)。
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公开(公告)号：CN113994021A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080042799.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种具有即使在真空室和处理单元之间存在连通管时也有良好的可维护性的结构的真空处理装置。对被处理基板(Sw)的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置(SM)，其具有：真空室(Pc3)，其设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有朝向处理面的安装开口(12)；处理单元(CU)，其用于实施真空处理；以及连通管(3)，其设置于真空室和处理单元之间，具有规定长度；该真空处理装置构成为经连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理，处理单元上连接有绕与上下方向正交并延伸的旋转轴(72)摆动的转动臂(74)，还具有将真空室和连通管或处理单元和连通管有选择地锁合的锁合装置(41～44、5)。
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公开(公告)号：CN113994021B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202080042799.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种具有即使在真空室和处理单元之间存在连通管时也有良好的可维护性的结构的真空处理装置。对被处理基板(Sw)的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置(SM)，其具有：真空室(Pc3)，其设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有朝向处理面的安装开口(12)；处理单元(CU)，其用于实施真空处理；以及连通管(3)，其设置于真空室和处理单元之间，具有规定长度；该真空处理装置构成为经连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理，处理单元上连接有绕与上下方向正交并延伸的旋转轴(72)摆动的转动臂通管有选择地锁合的锁合装置(41～44、5)。(74)，还具有将真空室和连通管或处理单元和连
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公开(公告)号：CN115249625A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210261055.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种无须变更喷淋板，不改变激发后的蚀刻气体的生成条件，就能调节蚀刻对象物表面上的激发后的蚀刻气体的浓度分布的干蚀刻装置(EM)。其具备：第一喷淋板(4)，其在真空室(1)内与蚀刻对象物(Sw)相向配置，设置有多个第一喷出口(4a)；气体供给装置(5、6)，其向与真空室内隔绝、并与第一喷淋板的各第一喷出口接续的空间(Sp)中供给激发了的蚀刻气体。上述空间(Sp)被划分成多个，在这些划分出的各空间(S1、S2)中还设置有可导入进行了流量控制的惰性气体的惰性气体导入装置(51、52、71、72、71a、72a)，通过按空间导入的惰性气体的流量控制，自由调节向各空间导入的蚀刻气体的分配比例。
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