公开(公告)号：CN1139819A

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN96102557.3

申请日：1996-02-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 福田琢也 ,  金井史幸 ,  加藤圣隆

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02131 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜被用于半导体期间的布线绝缘。且利用SiH2X2(X＝H，Cl，Br，OCH3，OC2H5，和OC3H5)气体作为反应物质形成电介质薄膜。可制造出布线延迟小可靠性高的半导体器件，因为具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜比具有Si-Si键和O-F键的氟氧化硅薄膜的介电常数小。

公开(公告)号：CN1276475C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02140212.4

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 胜村宣仁 ,  胜村义辉 ,  佐藤秀己 ,  内田宪宏 ,  金井史幸

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76819

Abstract: 使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。

公开(公告)号：CN1395295A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02140212.4

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 胜村宣仁 ,  胜村义辉 ,  佐藤秀己 ,  内田宪宏 ,  金井史幸

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76819

Abstract: 使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。

公开(公告)号：CN1129356A

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：CN95115539.3

申请日：1995-08-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大鸟浩 ,  梶谷一彦 ,  宫沢一幸 ,  久保征治 ,  小池淳义 ,  金井史幸

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L27/1052

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：将半导体衬底的第二表面部分做成凹槽；在其第一表面部分处制作第一电路区元件，而在第二表面部分处制作第二电路区元件，第一电路区和第二电路区的元件在垂直于半导体衬底表面部分的方向上具有相对小和大的尺寸；制作一隔离膜以覆盖第一和第二电路区，使隔离膜的第一和第二部分间产生高程差；将隔离膜化学机械整平以抑制其高程差；以及在提高了聚焦裕度的情况下，在隔离膜上制作布线导体。