公开(公告)号：CN1395295A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02140212.4

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 胜村宣仁 ,  胜村义辉 ,  佐藤秀己 ,  内田宪宏 ,  金井史幸

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76819

Abstract: 使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。

公开(公告)号：CN1276475C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02140212.4

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 胜村宣仁 ,  胜村义辉 ,  佐藤秀己 ,  内田宪宏 ,  金井史幸

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76819

Abstract: 使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。