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公开(公告)号：CN1323063A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01116984.2
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法,包括步骤:(a)用第一杂质掺入半导体衬底;(b)用导电类型与第一杂质的导电类型相反的第二杂质掺入半导体衬底;(c)在掺有第一杂质和第二杂质的所述半导体衬底主平面上方形成外延层;(d)在外延层上方形成封顶薄膜;和(e)在步骤(d)之后,对上述半导体衬底热扩散处理,形成第一半导体区域和第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN1129356A
公开(公告)日：1996-08-21
申请号：CN95115539.3
申请日：1995-08-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L27/1052
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：将半导体衬底的第二表面部分做成凹槽；在其第一表面部分处制作第一电路区元件，而在第二表面部分处制作第二电路区元件，第一电路区和第二电路区的元件在垂直于半导体衬底表面部分的方向上具有相对小和大的尺寸；制作一隔离膜以覆盖第一和第二电路区，使隔离膜的第一和第二部分间产生高程差；将隔离膜化学机械整平以抑制其高程差；以及在提高了聚焦裕度的情况下，在隔离膜上制作布线导体。
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公开(公告)号：CN1434374A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02160868.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0425 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/7885
Abstract: 本发明的课题是在安装非易失性存储器单元和可变逻辑单元的半导体装置中实现低电压工作下的高速化。本发明的半导体装置具有非易失性存储器单元(8)，它具有可改写的多个非易失性存储单元；以及可变逻辑单元(3)，按照装载在多个存储单元中的逻辑构成定义数据决定逻辑功能。非易失性存储单元以选择MOS晶体管(第2MOS型晶体管)和存储器MOS晶体管(第1MOS型晶体管)的分离栅结构为前提，使选择MOS晶体管的栅绝缘耐压比存储器MOS晶体管的栅绝缘耐压低，或者，使选择MOS晶体管的栅绝缘膜比高耐压MOS晶体管(第4MOS型晶体管)的栅绝缘膜薄。可提高选择MOS晶体管的Gm，可充分地取出读出电流。
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公开(公告)号：CN1175312A
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：CN95197532.3
申请日：1995-10-23
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06F17/60
CPC classification number: G07F11/002 , G06K17/00 , G06Q10/10 , G06Q20/123 , G06Q20/18 , G07F17/0014
Abstract: 这里公开了一种用于向配备有电可重写非易失半导体存储器的存储器卡(1)写入包括文本信息和其相应的活动图像信息以分发信息的电子信息分发终端,包括,多个保持通过通信接口(200)分发的信息的存储器卡的卡栈(225),其中电子信息通过响应只分发电子信息的要求卸下存储器卡来分发,并且随要求插入的存储器卡被用作为新的卡栈(225)结果,可以提供一个执行分发包括文本信息和相应的活动图像信息的电子信息服务的电子信息分发终端设备。
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公开(公告)号：CN1093201A
公开(公告)日：1994-10-05
申请号：CN94101411.8
申请日：1994-02-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C29/44 , G06F11/006 , G11C7/1045
Abstract: 将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导体存储器类型，从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同，因此，可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1284082C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN01822131.9
申请日：2001-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G06F11/261 , G06F11/267 , G06F15/7867 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/13091 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 在高密度安装电路板(2)上配置微型计算机(3)和随机存取存储器(7)，用存储专用总线(12)把两者结合，以便实现高速数据传输，并且搭载作为可变逻辑电路的以FPGA为代表的可编程器件(8)，另外，在所述微型计算机中搭载能电改写其工作程序的非易失性存储器(16)。所述高密度安装电路板在底面上具有安装用外部端子，能与芯片基系统化的多芯片模块同样安装到母板上。通过在所述可编程器件中设定所需逻辑功能，能模拟以硬件为主体，用电子电路装置实现的功能，另外，通过在非易失性存储器中写入工作程序，能模拟以软件为主体实现的功能。据此，有助于系统开发早期阶段中调试的容易化和原型系统的实现以及从开发到试制进而到产品化的周期的缩短。
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公开(公告)号：CN1133494A
公开(公告)日：1996-10-16
申请号：CN95120527.7
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , H01L21/205
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。
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公开(公告)号：CN100397330C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02160868.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0425 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/7885
Abstract: 本发明的课题是在安装非易失性存储器单元和可变逻辑单元的半导体装置中实现低电压工作下的高速化。本发明的半导体装置具有非易失性存储器单元(8)，它具有可改写的多个非易失性存储单元；以及可变逻辑单元(3)，按照装载在多个存储单元中的逻辑构成定义数据决定逻辑功能。非易失性存储单元以选择MOS晶体管(第2MOS型晶体管)和存储器MOS晶体管(第1MOS型晶体管)的分离栅结构为前提，使选择MOS晶体管的栅绝缘耐压比存储器MOS晶体管的栅绝缘耐压低，或者，使选择MOS晶体管的栅绝缘膜比高耐压MOS晶体管(第4MOS型晶体管)的栅绝缘膜薄。可提高选择MOS晶体管的Gm，可充分地取出读出电流。
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公开(公告)号：CN1526097A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01822131.9
申请日：2001-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G06F11/261 , G06F11/267 , G06F15/7867 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/13091 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 在高密度安装电路板(2)上配置微型计算机(3)和随机存取存储器(7)，用存储专用总线(12)把两者结合，以便实现高速数据传输，并且搭载作为可变逻辑电路的以FPGA为代表的可编程器件(8)，另外，在所述微型计算机中搭载能电改写其工作程序的非易失性存储器(16)。所述高密度安装电路板在底面上具有安装用外部端子，能与芯片基系统化的多芯片模块同样安装到母板上。通过在所述可编程器件中设定所需逻辑功能，能模拟以硬件为主体，用电子电路装置实现的功能，另外，通过在非易失性存储器中写入工作程序，能模拟以软件为主体实现的功能。据此，有助于系统开发早期阶段中调试的容易化和原型系统的实现以及从开发到试制进而到产品化的周期的缩短。
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公开(公告)号：CN1092402C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN95120527.7
申请日：1995-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , H01L21/205
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 在半导体衬底基片上方形成的势阱区域上方，形成有外延层，外延层含有的杂质浓度比势阱区域中含有的杂质浓度低。MOS场效应晶体管被安装在外延层上。场绝缘薄膜在深度走向上延伸到与势阱区域接触。MOS场效应晶体管具有在外延层内形成的源/漏区域以在源和漏之间形成穿通阻塞。
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