公开(公告)号：CN1139819A

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN96102557.3

申请日：1996-02-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 福田琢也 ,  金井史幸 ,  加藤圣隆

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02131 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜被用于半导体期间的布线绝缘。且利用SiH2X2(X＝H，Cl，Br，OCH3，OC2H5，和OC3H5)气体作为反应物质形成电介质薄膜。可制造出布线延迟小可靠性高的半导体器件，因为具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜比具有Si-Si键和O-F键的氟氧化硅薄膜的介电常数小。