公开(公告)号：CN112399999A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201980044957.7

申请日：2019-07-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。

公开(公告)号：CN110536940B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201880026333.8

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴昌墉 ,  朴民成 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。

公开(公告)号：CN112399999B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201980044957.7

申请日：2019-07-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。

公开(公告)号：CN110536940A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880026333.8

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴昌墉 ,  朴民成 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。

公开(公告)号：CN102449099B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201080024213.8

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴钟大 ,  任真爀 ,  崔正民 ,  孔铉九 ,  金宰贤 ,  朴惠贞

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种包含未离子化热活性纳米催化剂的、对金属层的化学机械平坦化工序有用的研磨浆料组合物以及利用其的研磨方法。所述化学机械研磨浆料组合物包含通过化学机械研磨工序中所产生的能量而释放电子与空穴的未离子化热活性纳米催化剂、研磨剂、以及氧化剂。所述未离子化热活性纳米催化剂与研磨剂彼此不相同，所述未离子化热活性纳米催化剂优选为在水溶液状态下在10-100℃的温度释放电子与空穴的半导体物质，特别优选使用从CrSi、MnSi、CoSi、硅铁(FeSi)以及其混合物所组成的群组中选择的过渡金属硅化物(transition？metal？silicide)，更优选使用纳米硅铁(nano？ferrosilicon)此类的半导体物质。此未离子化热活性纳米催化剂的含量相对于全部浆料组合物为0.00001-0.1wt％。

公开(公告)号：CN102449099A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080024213.8

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴钟大 ,  任真爀 ,  崔正民 ,  孔铉九 ,  金宰贤 ,  朴惠贞

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种包含未离子化热活性纳米催化剂的、对金属层的化学机械平坦化工序有用的研磨浆料组合物以及利用其的研磨方法。所述化学机械研磨浆料组合物包含通过化学机械研磨工序中所产生的能量而释放电子与空穴的未离子化热活性纳米催化剂、研磨剂、以及氧化剂。所述未离子化热活性纳米催化剂与研磨剂彼此不相同，所述未离子化热活性纳米催化剂优选为在水溶液状态下在10-100℃的温度释放电子与空穴的半导体物质，特别优选使用从CrSi、MnSi、CoSi、硅铁(FeSi)以及其混合物所组成的群组中选择的过渡金属硅化物(transition metal silicide)，更优选使用纳米硅铁(nano ferrosilicon)此类的半导体物质。此未离子化热活性纳米催化剂的含量相对于全部浆料组合物为0.00001-0.1wt％。