公开(公告)号：CN117321169A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035675.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金熹硕 ,  李玖和 ,  柳在鸿 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种有机膜研磨组合物以及利用其的研磨方法，其特征在于：包含将亲水性基团和疏水性基团均包含在内的研磨促进剂，不仅是聚合物(Polymer)、SOC、SOH，还对于通过共价键强键合的有机膜，如，无定形碳膜(ACL)或类金刚石碳(Diamond‑Like Carbon，DLC)，也可以保持高研磨速度。

公开(公告)号：CN110536940A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880026333.8

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴昌墉 ,  朴民成 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。

公开(公告)号：CN113302256B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201980087413.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 文元均 ,  金宰贤 ,  申圭淳 ,  朴钟大 ,  李敏键 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  赵京淑 ,  柳在鸿

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明提供一种可以通过对研磨粒子的表面进行改性而具有高研磨速度、缺陷或划痕较少的优秀研磨品质的化学‑机械研磨粒子以及包含所述研磨粒子的研磨浆料组合物。

公开(公告)号：CN110536940B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201880026333.8

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴惠贞 ,  李敏键 ,  朴昌墉 ,  朴民成 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  朴钟大 ,  金宰贤

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。

公开(公告)号：CN113302256A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201980087413.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 文元均 ,  金宰贤 ,  申圭淳 ,  朴钟大 ,  李敏键 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  赵京淑 ,  柳在鸿

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明提供一种可以通过对研磨粒子的表面进行改性而具有高研磨速度、缺陷或划痕较少的优秀研磨品质的化学‑机械研磨粒子以及包含所述研磨粒子的研磨浆料组合物。