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公开(公告)号：CN115841944A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210154813.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 实施方式提供提高了可靠性的半导体装置以及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，包括侧面和具有第一面积的底面；以及电极，设置于半导体芯片之下，包括具有比第一面积大的第二面积且至少一部分与底面相接的上表面，并含有导电性材料。
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公开(公告)号：CN119486253A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410196186.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够提高强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含具有上表面和与上表面相反的一侧的下表面的半导体基板。半导体基板包含第一端部、第二端部、元件部、第一梁部和第二梁部。第一端部在与从下表面朝向上表面的第一方向垂直的第二方向上位于半导体基板的端部。第二端部在第二方向上与第一端部分离。元件部位于第一端部与第二端部之间。在元件部形成有半导体元件。第一梁部从第一端部与元件部之间的第一部分向比第一端部及元件部靠下方的位置突出，并在与第一方向及第二方向垂直的第三方向上延伸。第二梁部从第二端部与元件部之间的第二部分向比第二端部及元件部靠下方的位置突出，并在第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN118676099A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311103843.X
申请日：2023-08-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/78
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法。实施方式所涉及的半导体装置具备：第一电极，具有第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；半导体基板，配置于所述第二主面上；以及第二电极，配置于所述半导体基板的与同所述第一电极相接的第三主面相反的一侧的第四主面上。所述第一电极具有与所述第一主面大致垂直地相交的第一侧面和与所述第一主面及所述第一侧面均大致垂直地相交的第二侧面，所述第一主面、所述第一侧面及所述第二侧面经由曲面相互连接。
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公开(公告)号：CN101051663A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1747191A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510098858.7
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN100442556C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510098858.7
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。
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公开(公告)号：CN1763983A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN1433087A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101600.6
申请日：2003-01-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/105 , H01L33/16
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。本发明揭示具备衬底，和由层积在上述衬底上的包含发光层的多层半导体膜构成的，从衬底侧的相反侧的面取出光的多层半导体膜，并且在上述多层半导体膜的光取出部分上，形成具有由(111)面构成的或者由(111)面近旁的面构成的光取出面的图案，在该光取出面上形成凹凸地构成的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN100524861C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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