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公开(公告)号：CN119486253A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410196186.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够提高强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含具有上表面和与上表面相反的一侧的下表面的半导体基板。半导体基板包含第一端部、第二端部、元件部、第一梁部和第二梁部。第一端部在与从下表面朝向上表面的第一方向垂直的第二方向上位于半导体基板的端部。第二端部在第二方向上与第一端部分离。元件部位于第一端部与第二端部之间。在元件部形成有半导体元件。第一梁部从第一端部与元件部之间的第一部分向比第一端部及元件部靠下方的位置突出，并在与第一方向及第二方向垂直的第三方向上延伸。第二梁部从第二端部与元件部之间的第二部分向比第二端部及元件部靠下方的位置突出，并在第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN118676099A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311103843.X
申请日：2023-08-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/78
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法。实施方式所涉及的半导体装置具备：第一电极，具有第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；半导体基板，配置于所述第二主面上；以及第二电极，配置于所述半导体基板的与同所述第一电极相接的第三主面相反的一侧的第四主面上。所述第一电极具有与所述第一主面大致垂直地相交的第一侧面和与所述第一主面及所述第一侧面均大致垂直地相交的第二侧面，所述第一主面、所述第一侧面及所述第二侧面经由曲面相互连接。
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公开(公告)号：CN117747571A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310135299.0
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供一种能够抑制翘曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括第1导电层、半导体层、第1控制电极、第2控制电极、第1电极焊盘和第2电极焊盘。第1导电层包括第1导电区域和第2导电区域。半导体层设置在第1导电层之上。半导体层包括第1～5半导体区域。第1控制电极隔着第1绝缘膜与第1半导体区域、第2半导体区域及第3半导体区域对置。第2控制电极隔着第2绝缘膜与第1半导体区域、第4半导体区域及第5半导体区域对置。第1电极焊盘设置在半导体层的上方，与第3半导体区域电连接。第2电极焊盘设置在半导体层的上方，与第5半导体区域电连接。第1导电区域的至少一部分位于第1电极焊盘及第2电极焊盘的下方。
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公开(公告)号：CN115841944A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210154813.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 实施方式提供提高了可靠性的半导体装置以及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，包括侧面和具有第一面积的底面；以及电极，设置于半导体芯片之下，包括具有比第一面积大的第二面积且至少一部分与底面相接的上表面，并含有导电性材料。
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公开(公告)号：CN113410292A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010841675.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 野村一城
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本发明的实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置为下述半导体装置具备：具有基板底面和基板上表面且在基板底面具有凹部的半导体基板、设置于凹部之上的半导体元件以及设置于凹部内的第1电极，凹部具有凹部侧面和凹部上表面，凹部侧面与凹部上表面所成的角为90度以上，第1电极的膜厚为凹部的深度的1/2以上。
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