光耦合装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113257946B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202010781752.1

    申请日:2020-08-06

    Abstract: 本发明提供一种光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备:受光元件,设置有第1输出端子以及第2输出端子;发光元件,设置在上述受光元件上;第1开关元件;第1电极板;以及密封部件。上述第1开关元件具有与上述第1输出端子连接的第1主端子、与上述第2输出端子连接的控制端子、以及第2主端子。上述第1电极板的上表面与上述第2主端子连接。上述密封部件覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件,在下表面露出上述第1电极板的下表面。上述第1电极板的下表面和上述密封部件的下表面构成同一平面。

    光耦合装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111211198B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN201910623904.2

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 本发明的实施方式提供一种光耦合装置,能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式,密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。

    光耦合装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113257946A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010781752.1

    申请日:2020-08-06

    Abstract: 本发明提供一种光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备:受光元件,设置有第1输出端子以及第2输出端子;发光元件,设置在上述受光元件上;第1开关元件;第1电极板;以及密封部件。上述第1开关元件具有与上述第1输出端子连接的第1主端子、与上述第2输出端子连接的控制端子、以及第2主端子。上述第1电极板的上表面与上述第2主端子连接。上述密封部件覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件,在下表面露出上述第1电极板的下表面。上述第1电极板的下表面和上述密封部件的下表面构成同一平面。

    半导体装置及光耦合装置

    公开(公告)号:CN106505048B

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201610115585.0

    申请日:2016-03-01

    Inventor: 鹰居直也

    Abstract: 本发明的实施方式提供一种使粘接在第1半导体元件上的第2半导体元件避免剥离的半导体装置及光耦合装置。实施方式的半导体装置具备第1半导体元件、设置在第1半导体元件上的第2半导体元件、将第2半导体元件的表面覆盖的凝胶状硅酮、及将硅酮的表面与第1半导体元件的表面覆盖的树脂部。

    光耦合装置及其安装部件

    公开(公告)号:CN111403542A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201910635635.1

    申请日:2019-07-15

    Abstract: 实施方式提供能够实现大电流输出的光耦合装置及其安装部件。实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、以及封固树脂层。半导体受光元件以跨越第一MOSFET与第二MOSFET之间的间隙部的方式与第一MOSFET以及第二MOSFET接合,一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极连接,另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极连接。第一布线部跨越第一直线而连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。第二布线部连接第一引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的一方的电极。第三布线部连接第二引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的另一方的电极。

    半导体继电装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115118257B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202110811078.1

    申请日:2021-07-19

    Abstract: 实施方式提供一种半导体继电装置,其由绝缘分离的输入侧和输出侧构成,即使在输出侧不包含恒流源,也能够保护输出侧的设备免受过热的影响。实施方式的半导体继电装置包含转换电路部、齐纳二极管、串联连接的n个二极管、晶闸管以及晶体管。转换电路部基于输入信号使第一电流在第一节点流过。齐纳二极管具有与第二节点连接的阳极以及与第一节点连接的阴极。n个二极管中的第一端的一个二极管的阳极与第一节点连接,n个二极管中的第二端的一个二极管的阴极与第三节点连接。晶闸管包含与第一节点连接的阴极、与第二节点连接的阳极以及与第三节点连接的控制端子。晶体管具有与第一节点连接的栅极。

    光耦合装置及其安装部件

    公开(公告)号:CN111403542B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN201910635635.1

    申请日:2019-07-15

    Abstract: 实施方式提供能够实现大电流输出的光耦合装置及其安装部件。实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、以及封固树脂层。半导体受光元件以跨越第一MOSFET与第二MOSFET之间的间隙部的方式与第一MOSFET以及第二MOSFET接合,一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极连接,另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极连接。第一布线部跨越第一直线而连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。第二布线部连接第一引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的一方的电极。第三布线部连接第二引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的另一方的电极。

    半导体装置
    9.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117747606A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202310087577.X

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备输入侧引线上的发光元件以及输出侧引线上的开关元件和受光元件。所述输出侧引线隔着所述发光元件而与所述输入侧引线相面对。所述开关元件位于所述发光元件与所述输出侧引线之间。所述开关元件具有与所述发光元件相面对的表面侧电极和与所述表面侧电极一起设置在与所述发光元件相面对的表面侧的控制焊盘。所述受光元件经由绝缘构件连接在所述开关元件的所述表面侧电极上,且位于所述开关元件与所述发光元件之间。所述受光元件具有经由第一导电构件与所述开关元件的所述控制焊盘电连接的第一接合焊盘、以及经由第二导电构件与所述开关元件的所述表面侧电极电连接的第二接合焊盘。

    光耦合装置以及高频装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113257947A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010782829.7

    申请日:2020-08-06

    Abstract: 本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置,高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备:受光元件,设置有第1输出端子以及第2输出端子;发光元件,设置在上述受光元件上;第1开关元件,设置在上述受光元件的侧方,在上表面上设置有第1主端子以及控制端子,在下表面上设置有第2主端子,上述第1主端子与上述第1输出端子连接,上述控制端子与上述第2输出端子连接;第1电极板,上表面与上述第2主端子连接;以及密封部件,覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件,在下表面中露出上述第1电极板的下表面。

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