半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1229878C

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN03103536.1

    申请日:2003-01-29

    CPC classification number: H01L33/20

    Abstract: 本发明的半导体发光元件具有:与所述发光元件的发光层大致平行的矩形状第一主面;与所述第一主面的各边平行的矩形状第二主面,隔着所述发光层与所述第一主面相对;配置在所述第一主面和所述第二主面之间,具有凹凸的第一~第四侧面。

    半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102694099A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210054994.6

    申请日:2012-03-05

    Inventor: 衣川佳之

    Abstract: 一种半导体发光装置,具备层叠体,该层叠体具有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间设置的发光层。并且具备:透明电极层,设置在上述第2半导体层的表面,使从上述发光层放射的发光透过;第1电极,与上述透明电极层电连接;以及第2电极,与上述第1半导体层电连接。并且,具有沿着上述透明电极层的边缘的区域,该区域设置成上述透明电极层的厚度在上述边缘侧比在中央侧薄。

    半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1435898A

    公开(公告)日:2003-08-13

    申请号:CN03103536.1

    申请日:2003-01-29

    CPC classification number: H01L33/20

    Abstract: 本发明的半导体发光元件具有:与所述发光元件的发光层大致平行的矩形状第一主面;与所述第一主面的各边平行的矩形状第二主面,隔着所述发光层与所述第一主面相对;配置在所述第一主面和所述第二主面之间,具有凹凸的第一~第四侧面。

Patent Agency Ranking