公开(公告)号：CN106531698A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610111557.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西川幸江 ,  赤池康彦 ,  冈崎雅树

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体基板，至少一部分设置在第一电极与第二电极之间，具有第一面和第二面，具有第一导电型的第一区域和和多个第二导电型的第二区域，该多个第二导电型的第二区域与第一面相接触地设置在第一电极的周围；第一绝缘膜，设置在第二区域上，包含正电荷；及第二绝缘膜，设置在第二区域上，包含负电荷。