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公开(公告)号：CN1591923A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410079795.6
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号：CN1269229C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01122064.3
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号：CN100541836C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200410079795.6
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号：CN1322018A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN01122064.3
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。
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