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公开(公告)号：CN116544224A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210863064.9
申请日：2022-07-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供在高温的工作环境具有高可靠性的半导体发光器件及光耦合器。实施方式的半导体发光器件具备：立方晶的砷化镓(GaAs)基板、设置于上述GaAs基板上的包含由组成式InxGa1‑xAs(0＜x＜1)表示的砷化铟镓(InGaAs)的发光层、以及位于上述GaAs基板与上述发光层之间、且设置于相对于上述立方晶的(100)面倾斜的上述GaAs基板的表面上的半导体多层膜。上述半导体多层膜包含在与上述GaAs基板的上述表面垂直的方向上交替层叠的第一层及第二层，上述第一层具有与上述第二层不同的组成。
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公开(公告)号：CN113394275A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010798554.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L21/285
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置具备：包含n型杂质的III‑V族半导体层；第1导电层，所述第1导电层设置于III‑V族半导体层上，包含Ti(钛)及可成为III‑V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于第1区域的第2区域；和设置于第1导电层上的第2导电层。
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公开(公告)号：CN1351384A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01135998.6
申请日：2001-10-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 在使用GaP基板的半导体发光元件中,使GaP基板1和发光层7借助于p－InGaP构成的第一接合层2和由p－GaP构成的第二接合层3接合起来。由此,在用热处理使GaP基板1和发光层7接合时,可在500～700℃的温度下热处理,所以可减少发光层7的损坏,而且可避免工作电压的上升。
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公开(公告)号：CN113394275B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202010798554.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D64/62 , H01L21/285
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置具备：包含n型杂质的III‑V族半导体层；第1导电层，所述第1导电层设置于III‑V族半导体层上，包含Ti(钛)及可成为III‑V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于第1区域的第2区域；和设置于第1导电层上的第2导电层。
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公开(公告)号：CN119698143A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410259200.2
申请日：2024-03-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
IPC: H10H20/84 , H10H20/01 , H10H20/819
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包含发光层、半导体基板和多层膜部。上述半导体基板包含立方晶的砷化镓(GaAs)。上述半导体基板具有基板下表面和基板上表面。上述基板上表面位于上述发光层与上述基板下表面之间，相对于上述立方晶的(100)面倾斜。上述多层膜部包含第1层和第2层。上述第1层位于上述基板上表面与上述发光层之间，具有沿着上述基板上表面而延伸的第1面。上述第2层位于上述第1面与上述发光层之间，与上述第1面相接触，具有和与第1面相接触的面相反侧的第2面。上述第2面的凹凸大于上述第1面的凹凸。来自上述发光层的光在上述多层膜部中通过后被放射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100587985C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710159720.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。
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公开(公告)号：CN100459183C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410056639.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
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公开(公告)号：CN1591918A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410056639.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
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公开(公告)号：CN115084326B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
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公开(公告)号：CN112447888A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010145989.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种降低晶片面内的光输出的变动的光半导体元件。实施方式的光半导体元件具有基板、发光层、和分布布拉格反射器。发光层具有AlGaAs多量子阱层。分布布拉格反射器设置在基板与发光层之间，周期性地层叠了第1层与第2层的对。第1层包含AlxGa1－xAs，第2层包含Inz(AlyGa1－y)1－zP。第1层的折射率n1比第2层的折射率n2高。以所述分布布拉格反射器的反射率的波长分布中的频带的中心波长为λ0，第1层具有比λ0/(4n1)大的厚度。第2层具有比λ0/(4n2)小的厚度。
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