公开(公告)号：CN1164934A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96191004.6

申请日：1996-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  藤本英俊 ,  石川正行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/93

Abstract: 一种通过较少步骤的工艺过程制造氮化镓型蓝色发光器件的方法。该器件包括这样一个多层结构，它包含一个用第一导电类型杂质掺杂的第一氮化镓半导体层、一个实质上本征的氮化镓半导体活性层和一个用与第一导电类型相反的第二导电类型杂质掺杂的第二氮化镓半导体层。在该器件的制造中，第一和第二氮化镓半导体层及氮化镓半导体活性层是通过高温CVD形成的，并且随后被留在一种惰性气体中以便自然冷却。

公开(公告)号：CN1132253C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96191004.6

申请日：1996-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  藤本英俊 ,  石川正行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/93

Abstract: 一种通过较少步骤的工艺过程制造氮化镓型蓝色发光器件的方法。该器件包括这样一个多层结构，它包含一个用第一导电类型杂质掺杂的第一氮化镓半导体层、一个实质上本征的氮化镓半导体活性层和一个用与第一导电类型相反的第二导电类型杂质掺杂的第二氮化镓半导体层。在该器件的制造中，第一和第二氮化镓半导体层及氮化镓半导体活性层是通过高温CVD形成的，并且随后被留在一种惰性气体中以便自然冷却。

公开(公告)号：CN1093988C

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN97118235.3

申请日：1997-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石川正行 ,  新田康一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管，其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地，在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中，阴极形成在n型GaN半导体层上，并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。

公开(公告)号：CN1176497A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN97118235.3

申请日：1997-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石川正行 ,  新田康一

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/19

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管,其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地,在蓝宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中,阴极形成在n型GaN半导体层上,并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。