公开(公告)号：CN102034800A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010135730.4

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林秀和 ,  富田宽 ,  相良润也 ,  田久真也 ,  户崎德大 ,  黑泽哲也 ,  北岛由贵子

IPC: H01L25/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08K3/08 ,  C08K5/0091 ,  C08L63/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1半导体芯片(设置在基板上)；第2半导体芯片(设置在第1半导体芯片上，且背面进行了镜面处理)；以及粘结片(设置在第1半导体芯片与第2半导体芯片之间，且含有能捕获金属杂质离子的金属杂质离子捕获剂)。

公开(公告)号：CN102623363A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210018298.X

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 户崎德大 ,  中尾光博 ,  森田洋辅

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01046

Abstract: 本发明提供接合线的接合方法、半导体装置、半导体装置的制造方法。本发明的接合线的接合方法，将具有以非贵金属为主要成分的芯材及包覆上述芯材的贵金属层的接合线经由上述贵金属层楔形接合到在半导体元件的电极上形成的凸起。