公开(公告)号：CN102208335A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110052481.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河村嘉久 ,  小林克稔 ,  伊藤信一 ,  林秀和 ,  富田宽

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供模板的表面处理方法及装置以及图案形成方法。根据本实施方式，模板的表面处理方法包括：将具备图案面的模板的表面氢氧化或使水吸附于前述表面，使OH基分布于前述表面的工序，所述图案面具有凹凸；以及使偶联剂结合于分布有前述OH基的模板表面的工序。这些处理在胺被管理为小于等于预定浓度的环境中进行。

公开(公告)号：CN1244956C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法，它包括：在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤；在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤；在下层膜的表面上形成中间膜的步骤；在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤；对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤；将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤；将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN1733879B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200510091415.5

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 富田宽 ,  山田裕司 ,  山田浩玲 ,  石川典夫 ,  阿部优美子

IPC: C11D7/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。

公开(公告)号：CN102034800A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010135730.4

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林秀和 ,  富田宽 ,  相良润也 ,  田久真也 ,  户崎德大 ,  黑泽哲也 ,  北岛由贵子

IPC: H01L25/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08K3/08 ,  C08K5/0091 ,  C08L63/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1半导体芯片(设置在基板上)；第2半导体芯片(设置在第1半导体芯片上，且背面进行了镜面处理)；以及粘结片(设置在第1半导体芯片与第2半导体芯片之间，且含有能捕获金属杂质离子的金属杂质离子捕获剂)。

公开(公告)号：CN102208335B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201110052481.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河村嘉久 ,  小林克稔 ,  伊藤信一 ,  林秀和 ,  富田宽

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供模板的表面处理方法及装置以及图案形成方法。根据本实施方式，模板的表面处理方法包括：将具备图案面的模板的表面氢氧化或使水吸附于前述表面，使OH基分布于前述表面的工序，所述图案面具有凹凸；以及使偶联剂结合于分布有前述OH基的模板表面的工序。这些处理在胺被管理为小于等于预定浓度的环境中进行。

公开(公告)号：CN1319882A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法,它包括:在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤;在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤;在下层膜的表面上形成中间膜的步骤;在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤;将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN102386052A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110065920.8

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北岛由贵子 ,  富田宽 ,  林秀和 ,  大口寿史 ,  佐藤洋平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101

Abstract: 本发明涉及超临界干燥方法以及超临界干燥系统。根据实施例，一种超临界干燥方法包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体；以及降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体。所述第一二氧化碳是通过回收和再生从所述腔排出的二氧化碳而产生的。所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳中所包含的所述超临界置换溶剂的浓度。

公开(公告)号：CN104795343A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410253690.1

申请日：2014-06-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林秀和 ,  佐藤洋平 ,  大口寿史 ,  富田宽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B3/10 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及其设备。按照根据所述本发明实施例的衬底处理方法，将超纯水供应到衬底的表面。将含氟代醇溶剂供应到已附着所述超纯水的所述衬底的所述表面。将具有在所述含氟代醇溶剂中的溶解性并与所述含氟代醇溶剂不同的第一溶剂供应到已附着所述含氟代醇溶剂的所述衬底的所述表面。将已附着所述第一溶剂的所述衬底引入到室中，用超临界流体替代所述衬底的所述表面上的所述第一溶剂，接着，减小所述室内的压力并且将所述超临界流体改变为气体。从所述室取出所述衬底。

公开(公告)号：CN1733879A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091415.5

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 富田宽 ,  山田裕司 ,  山田浩玲 ,  石川典夫 ,  阿部优美子

IPC: C11D7/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。