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公开(公告)号：CN1733879B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200510091415.5
申请日：2005-08-10
IPC: C11D7/36 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/08 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D11/0047
Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。
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公开(公告)号：CN1733879A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091415.5
申请日：2005-08-10
IPC: C11D7/36 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/08 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D11/0047
Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。
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公开(公告)号：CN1297642C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN03103788.7
申请日：2003-02-19
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
Abstract: 本发明该洗净液组合物提供一种可以有效地除去疏水性基板表面的粒子和金属而不腐蚀该疏水性基板。该洗净液组合物用于在其上滴下水时的表面接触角是70度以上的半导体基板，并含有脂肪族多元羧酸类和表面活性剂，其中当该组合物滴下在前述半导体基板上时的接触角变成50度以下。
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公开(公告)号：CN1225529C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN00106046.5
申请日：2000-04-20
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: C11D1/00 , C11D3/20 , H01L21/461
CPC classification number: H05K3/26 , C11D3/2075 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H05K2201/0761 , H05K2203/122
Abstract: 本发明提供不腐蚀金属、能够高效率地同时去除基板表面的金属杂质和颗粒的洗净液。该洗净电子材料用基板的洗净液含有分散剂和表面活性剂中的至少一种及有机酸化合物，且该洗净液不含有碱；所述有机酸化合物是从草酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸及它们的铵盐组成的组中选择的1种或2种以上，且所述有机酸化合物的量是所述洗净液的总量的0.01～30重量%；所述表面活性剂是阴离子型或者非离子型表面活性剂；所述分散剂是磷酸酯，且所述分散剂和表面活性剂的量是所述洗净液的总量的0.0001～10重量%。
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公开(公告)号：CN1458256A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03131434.1
申请日：2003-05-16
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: C11D3/20
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D3/2075 , C11D7/26 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100513544C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410033493.5
申请日：2004-04-09
Applicant: 关东化学株式会社
CPC classification number: C11D7/5022 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D11/0047 , H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/02093
Abstract: 本发明涉及一种洗涤液，其具有从裸硅表面、Low-K膜这样的疏水性表面将粒子除去的高粒子去除能力。本发明通过在诸如草酸的有机酸的水溶液中组合特定的有机溶剂，使洗涤液与疏水性表面的润湿性提高。
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公开(公告)号：CN100429299C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN03131434.1
申请日：2003-05-16
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: C11D3/20 , C11D11/00 , C11D7/26 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。
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公开(公告)号：CN1542110A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410033493.5
申请日：2004-04-09
Applicant: 关东化学株式会社
CPC classification number: C11D7/5022 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D11/0047 , H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/02093
Abstract: 本发明涉及一种洗涤液，其具有从裸硅表面、Low－K膜这样的疏水性表面将粒子除去的高粒子去除能力。本发明通过在诸如草酸的有机酸的水溶液中组合特定的有机溶剂，使洗涤液与疏水性表面的润湿性提高。
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公开(公告)号：CN1439701A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03103788.7
申请日：2003-02-19
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: C11D3/2082 , C11D1/004 , C11D1/22 , C11D1/24 , C11D1/345 , C11D1/72 , C11D3/2086 , C11D11/0047
Abstract: 本发明该洗净液组合物提供一种可以有效地除去疏水性基板表面的粒子和金属而不腐蚀该疏水性基板。该洗净液组合物用于在其上滴下水时的表面接触角是70度以上的半导体基板，并含有脂肪族多元羧酸类和表面活性剂，其中当该组合物滴下在前述半导体基板上时的接触角变成50度以下。
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公开(公告)号：CN1271000A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：CN00106046.5
申请日：2000-04-20
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: C11D1/00 , C11D3/20 , H01L21/461
CPC classification number: H05K3/26 , C11D3/2075 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H05K2201/0761 , H05K2203/122
Abstract: 本发明提供不腐蚀金属、能够高效率地同时去除基板表面的金属杂质和颗粒的洗净液。作为洗净电子材料用基板的洗净液,它含有分散剂和表面活性剂中的至少任一种及有机酸化合物。
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