半导体发光器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1917242A

    公开(公告)日:2007-02-21

    申请号:CN200610115582.3

    申请日:2006-08-15

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/387

    Abstract: 本发明的LED芯片包括:圆柱形GaP基片,其中在其外壁表面中形成了锥形部分,该锥形部分的外形在朝着上底面一侧变窄;上表面电极,置于GaP基片的上底面;发光层,置于GaP基片的下底面;以及下表面电极,置于相对于发光层而言与GaP基片相对置的一表面,该下表面电极排列在与上表面电极相对的区域以外的环形区域中。

    带透镜的发光二极管器件

    公开(公告)号:CN1992361B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610129054.3

    申请日:2006-09-05

    Abstract: 本发明的目的是提供一种带透镜的发光二极管器件,提高光取出效率和可靠性,同时能够降低制造成本。带透镜的发光二极管器件具有:引脚框(20),形成了电极(21);发光二极管(22),安装在引脚框(20)的上述电极上;管壳(30),由第1树脂所构成,设置在引脚框(20)上,在至少露出包含发光二极管的区域的状态下形成了中空部;密封部(40),由第2树脂构成,填充在管壳(30)的中空部的引脚框(20)内,密封发光二极管(22);以及透镜部(50),由第3树脂构成,层叠填充在密封部40上。

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