公开(公告)号：CN1343006A

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置,具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层,所述导电层含有铜,所述导电层的表面区域具有C－H和C－C键中的至少一种,所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN100416817C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C-H键和C-C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C-H键的C原子和形成C-C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN1518092A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001053.1

申请日：2004-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增田秀显 ,  宫岛秀史 ,  中田錬平

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括在下层互连的表面上形成保护膜，和通过在保护膜的表面上依次叠置第一多孔膜、第一无孔膜、第二多孔膜以及第二无孔膜形成多层结构膜，并形成过孔和互连沟槽。除去抗蚀剂掩模之后，除去在过孔底部露出的保护膜。通过在过孔和互连沟槽中嵌入互连材料形成双镶嵌结构的上层互连。第一无孔膜包括第一层和第二层，第一层相对于保护膜具有高蚀刻选择比，第二层相对于抗蚀剂掩模和第二多孔膜具有高蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN1435863A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m·sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN101963759A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910170958.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明涉及成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法。在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1825207A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610072041.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m· sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1385886A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02119238.3

申请日：2002-05-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  岛田美代子 ,  中田錬平

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 一种半导体器件的制造方法,包括:在半导体衬底上边,设置含有Si原子的低介电常数绝缘膜;边照射电子束边加热上述低介电常数绝缘膜;和使上述加热中或加热后的上述低介电常数绝缘膜暴露于促进上述Si原子的结合的气体中。

公开(公告)号：CN101150114A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710180904.7

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C－H键和C－C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30％以上。

公开(公告)号：CN1280890C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200410001053.1

申请日：2004-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增田秀显 ,  宫岛秀史 ,  中田錬平

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括在下层互连的表面上形成保护膜，和通过在保护膜的表面上依次叠置第一多孔膜、第一无孔膜、第二多孔膜以及第二无孔膜形成多层结构膜，并形成过孔和互连沟槽。除去抗蚀剂掩模之后，除去在过孔底部露出的保护膜。通过在过孔和互连沟槽中嵌入互连材料形成双镶嵌结构的上层互连。第一无孔膜包括第一层和第二层，第一层相对于保护膜具有高蚀刻选择比，第二层相对于抗蚀剂掩模和第二多孔膜具有高蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN1261976C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。