公开(公告)号：CN1190827C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02108730.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  岛田美代子 ,  中田鍊平

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明公开一种形成绝缘膜的方法，包括用绝缘膜材料涂覆衬底以形成一涂覆膜，这绝缘膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相异的第一和第二聚合物，并且加热所述涂覆膜的同时用电子束辐照所述涂覆膜。

公开(公告)号：CN1385886A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02119238.3

申请日：2002-05-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  岛田美代子 ,  中田錬平

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 一种半导体器件的制造方法,包括:在半导体衬底上边,设置含有Si原子的低介电常数绝缘膜;边照射电子束边加热上述低介电常数绝缘膜;和使上述加热中或加热后的上述低介电常数绝缘膜暴露于促进上述Si原子的结合的气体中。

公开(公告)号：CN1379450A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02108730.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  岛田美代子 ,  中田鍊平

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明公开一种形成绝缘膜的方法,包括用绝缘膜材料涂覆衬底以形成一涂覆膜,这绝缘膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相异的第一和第二聚合物,并且加热所述涂覆膜的同时用电子束辐照所述涂覆膜。

公开(公告)号：CN118507509A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311054496.6

申请日：2023-08-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 梶原瑛祐 ,  岛田美代子 ,  南川贤人 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1氮化物区域及第1绝缘构件。第1氮化物区域的第1氮化物部分沿着第2方向的第1氮化物部分厚度比第1氮化物区域的第2氮化物部分沿着第1方向的第2氮化物部分厚度厚。第2半导体区域的第1半导体部分沿着第2方向的第1半导体部分厚度比第1氮化物部分厚度厚。

公开(公告)号：CN103782401A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043649.0

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 秋元阳介 ,  小岛章弘 ,  岛田美代子

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L24/19 ,  H01L25/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H05B33/0803 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：不少于三个芯片（3a，3b），所述芯片中的每一个芯片包括半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层（12a）；p侧电极（16），其被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中；以及n侧电极（17），其被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中；以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层（31）。所述芯片包括：位于平面图中心的中心芯片（3a），以及至少两个周边芯片（3b），其在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片（3a）。在所述周边芯片中，所述第一面上的所述荧光体层（31）的厚度相同，并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）具有彼此不同的厚度。