公开(公告)号：CN1261976C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1348207A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140937.1

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  山田展英 ,  早坂伸夫 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76819

Abstract: 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。

公开(公告)号：CN115832045A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210766206.X

申请日：2022-06-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 阿久津敏 ,  菊地拓雄 ,  伊藤和幸 ,  山田展英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417

Abstract: 提供能够减小导通电阻的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第2电极；半导体部分，配置于所述第1电极与所述第2电极之间；第3电极，配置于所述半导体部分内；绝缘膜，配置于所述第3电极与所述半导体部分之间；绝缘部件，配置于所述半导体部分内的与所述绝缘膜分离的位置；第4电极，配置于所述绝缘部件内；以及压缩应力部件，配置于所述第4电极内，具有沿着从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向的压缩应力。

公开(公告)号：CN1435863A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m·sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN101963759A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910170958.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明涉及成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法。在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN100582941C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610072041.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田鍊平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1825207A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610072041.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m· sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN114999795A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202111456089.9

申请日：2021-12-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山田展英

IPC: H01F27/32 ,  H01F27/04 ,  H01F27/28 ,  H01G4/002 ,  H01G4/06 ,  H01G4/224 ,  H01G4/228

Abstract: 本发明提供能够提高绝缘破坏耐性的数字隔离器。实施方式的数字隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极之下。第二电极设置于第一绝缘部之下。第二绝缘部沿着与从第二电极朝向第一电极的第一方向垂直的第一面而设置于第一电极的周围。第一电介质部在沿着第一面的第二方向上设置于第一电极与第二绝缘部之间，与第一电极接触。第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部的相对介电常数。

公开(公告)号：CN1197144C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140937.1

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  山田展英 ,  早坂伸夫 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76819

Abstract: 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。