公开(公告)号：CN101192609A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710193324.1

申请日：2007-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 深水新吾 ,  锅岛有 ,  西野英树

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，具有能够缓和因检查时的探测的机械上的力学压力，或组装中的引线接合所引起的机械上的力学压力所产生的应力的结构。该半导体集成电路，具有：形成在半导体基板(100)上的功率晶体管(100A)；形成在功率晶体管(100A)的正上方，且作为功率晶体管的第1电极与第2电极起作用的多个第1金属图案与多个第2金属图案；与多个第1金属图案电连接的第1总线(140)；与第2金属图案电连接的第2总线(150)；以及在第1总线(140)与第2总线(150)逐一设置的接触焊盘(304)，第1总线(140)与第2总线(150)各自中，至少形成有1个细缝(10a)。

公开(公告)号：CN101192608A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710193323.7

申请日：2007-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 深水新吾 ,  锅岛有 ,  山本泰永

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/20651 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20755

Abstract: 半导体集成电路，具备：在半导体基板(100)上形成的功率晶体管(100A)；形成在功率晶体管(100A)的正上方，作为功率晶体管(100A)的第1电极和第2电极发挥作用的多个第1金属图案及多个第2金属图案；和与多个第1金属图案中对应的第1金属图案电连接的多个第1总线(130、131)；和与多个第2金属图案电连接的单一的第2总线(150)；在多个第1总线(130、131)及单一的第2总线(150)上，各设置一个接点凸台(304)。提供在明确流入各功率晶体管的电流路线的同时，实现流入各功率晶体管的电流的最佳化，从而减少对功率晶体管的损伤或应力，并且使可靠性优异的半导体集成电路。

公开(公告)号：CN100442542C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410101110.3

申请日：2004-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 锅岛有

IPC: H01L29/93

CPC classification number: H01L29/93

Abstract: 在根据本发明的制造可变电容二极管的方法中，在具有低杂质浓度的第一传导类型的半导体衬底上形成掩模，利用离子注入，通过掩模的开口部分，在半导体衬底上形成具有中间杂质浓度的第一传导类型的半导体区域，在相对于具有中间杂质浓度的第一传导类型的半导体区域的表面侧的半导体衬底中，通过掩模的相同开口部分，形成具有高杂质浓度的第二传导类型的半导体区域，并且通过对半导体衬底进行热处理，激发具有中间杂质浓度的第一传导类型的半导体区域和具有高杂质浓度的第二传导类型的半导体区域。在根据本发明的可变电容二极管中，其中第一传导类型的环形接触层形成于具有高杂质浓度的第二传导类型的半导体区域周围的结构组成了多个单元的每一个，所述多个单元排列在阵列中。

公开(公告)号：CN101174626A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710184818.3

申请日：2007-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 深水新吾 ,  锅岛有 ,  胜山隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，包括：形成在半导体基板上的功率晶体管；形成在功率晶体管的正上方，作为功率晶体管的第一电极和第二电极起作用的多个第一金属图案和多个第二金属图案；与多个第一金属图案中对应的第一金属图案电连接的多个第一总线；与多个第二金属图中对应的第二金属图案电连接的多个第二总线；在多个第一总线和多个第二总线上分别设置一个接触焊盘。

公开(公告)号：CN101465335A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810186080.9

申请日：2008-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 锅岛有 ,  梶山正兴 ,  松永朋弘 ,  岩馆秀典

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种防止电感器布线内部中实质性串联电阻成分的增加，并且减少膜厚的工序偏差、提高Q值的电感器及其制造方法。特征是，电感器(100)具备由金属层构成且形成为螺旋状的平面形状的电感器布线(111)，在电感器布线(111)的宽度方向的截面形状中，至少平面形状的内部侧端部(121)的膜厚比中央部的膜厚更厚。

公开(公告)号：CN101339946A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810082015.1

申请日：2008-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 深水新吾 ,  锅岛有

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/544 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R31/2884 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2075

Abstract: 提供一种具有能够缓和因检查时的探测和组装的导线键合的机械的力学的压力而产生的应力的结构，作为能够应对利用微细工艺的大芯片化的晶片检查而必须具有的、能够应对探头检查时的低温检查、常温检查、高温检查、晶片·老化检查等的筛选或保证检查等的多次探头检查的半导体集成电路器件。该半导体集成电路器件包括：有源元件(100A)，层间绝缘膜，在有源元件的正上方形成的由第1金属层构成的第1金属图形及第2金属图形，在第1金属层的正上方形成的由第2金属层构成的第1总线(140)及第2总线(150)，和在第1总线及第2总线上设置的接触焊盘(304)。接触焊盘具有探头检查用区域(200a)和焊接用区域(304a)。

公开(公告)号：CN1630102A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101110.3

申请日：2004-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 锅岛有

IPC: H01L29/93

CPC classification number: H01L29/93

Abstract: 在根据本发明的制造可变电容二极管的方法中，在具有低杂质浓度的第一传导类型的半导体衬底上形成掩模，利用离子注入，通过掩模的开口部分，在半导体衬底上形成具有中间杂质浓度的第一传导类型的半导体区域，在相对于具有中间杂质浓度的第一传导类型的半导体区域的表面侧的半导体衬底中，通过掩模的相同开口部分，形成具有高杂质浓度的第二传导类型的半导体区域，并且通过对半导体衬底进行热处理，激发具有中间杂质浓度的第一传导类型的半导体区域和具有高杂质浓度的第二传导类型的半导体区域。在根据本发明的可变电容二极管中，其中第一传导类型的环形接触层形成于具有高杂质浓度的第二传导类型的半导体区域周围的结构组成了多个单元的每一个，所述多个单元排列在阵列中。