公开(公告)号：CN101369560B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810169256.X

申请日：2004-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 ,  石谷伸治

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/26 ,  H01L25/00 ,  H03H9/10

CPC classification number: H01L23/26 ,  H01L2224/16225

Abstract: 通过用粘接剂(3、103)或金属层(103、251)接合装配有电子元件(71、171、261)的第1容器部件(9、109、212)和第2容器部件(2、102、202)，而形成内部空间(90、190、211)，能够在低温下将所述电子元件密闭在所述内部空间内。在使用粘接剂的情况下，用金属膜(4)覆盖粘接剂的露出面，实现所述内部空间的密闭性。进一步，在所述第2容器部件中也能装配电子元件(261、272)，能够实现电子元件封装的高密度化。

公开(公告)号：CN101582384A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910133267.7

申请日：2009-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H05K3/42

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

Abstract: 本发明的半导体贯通电极形成方法中，在贯通孔中形成树脂材料时，由于在贯通孔底部形成电极焊盘(102)，利用喷墨方法在贯通孔的周围形成绝缘材料(104)并在中心部形成导电性材料(105)，而且喷出喷墨喷出树脂使得在表面形成凹凸，从而能够提高绝缘材料(104)和导电性材料(105)之间的粘附性、及绝缘性材料(104)和贯通孔内壁之间的粘附性，因此能够抑制贯通孔内表面、树脂或导体层间的界面上的导电性材料(105)的剥落等机械性质上的不佳和绝缘不佳、导通不佳等电学性质上的不佳的情况。

公开(公告)号：CN100487931C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580032696.5

申请日：2005-09-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 ,  石谷伸治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明的LED芯片(1)具有如下结构：n型半导体层(12)和p型半导体层(13)相继形成在元件衬底(11)的下表面上，p型半导体层(13)形成在除用于n电极的区域(12a)之外的区域上。第一n电极(14)形成在用于n电极的区域(12a)上，第一p电极(15)形成在p型半导体层(13)上。具有开口(16a)和(16b)的第一绝缘层(16)形成在第一n电极(14)和第一p电极(15)上，具有实质上相同尺寸的第二n电极(17)和第二p电极(18)形成在第一绝缘层(16)上。采用这种配置，可以使n型半导体层(12)上的电极大，从而可以通过使用焊料(31)以低成本执行将LED芯片(1)安装到电路板(40)上的安装工艺。

公开(公告)号：CN1703138A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073982.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 ,  笹冈达雄 ,  石谷伸治

IPC: H05K3/26 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/328 ,  B23K20/10 ,  B23K2101/40 ,  H01L2224/75 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/0285

Abstract: 本发明提供一种接合装置及接合方法。该接合装置具备保持电子部件的吸附管嘴、将电路基板与所述电子部件相面对地保持的基板台架、以及可以配置在定位状态的所述电子部件和所述电路基板之间的照射位置的准分子紫外线灯。在此种接合装置中，在利用所述准分子紫外线灯同时向所述电子部件的金突起及所述电路基板的基板电极照射紫外线而进行了两金属部分的清洗处理后，在使两金属部分相互接触的状态下赋予超声波振动，进行两金属部分的金属接合。

公开(公告)号：CN1222026C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01812387.2

申请日：2001-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  吉田幸一 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司 ,  今西诚 ,  东和司 ,  福本健治 ,  和田浩

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/4921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。

公开(公告)号：CN1144278C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN99810354.3

申请日：1999-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 南谷昌三 ,  东和司 ,  高桥健治 ,  金山真司 ,  和田浩 ,  辻泽孝文 ,  秋田诚 ,  冈本健二 ,  江口信三 ,  龟谷泰弘

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 使电子部件(150)和电路板(20)产生相对振动，所述电子部件的电极(13)和上述电路板的电极部分(21)通过压点(11、12)被焊接在一起时，由振动衰减检测装置(140)以及判定装置(141)测量所述压点和所述电极部分焊接过程导致的振动的衰减，根据该振动衰减来判定所述焊接的好坏。另外，对超声波发生器(133)而言，针对阻抗、或者吸嘴(93)的位移量、或者向VCM(121)提供的电流，将焊接过程中这些波形和正品的波形进行比较，加以判定。通过这样的构成，可以在焊接实施过程中对电子部件与电路板接合的好坏进行判定。另外，在焊接过程中，如果焊接状态变差，可以通过改变焊接条件，防止次品的产生，提高成品率。

公开(公告)号：CN1477689A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03152616.0

申请日：2003-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 ,  笹冈达雄 ,  堀江聪 ,  大村贵志

IPC: H01L21/58 ,  H05K13/04

CPC classification number: H05K13/04 ,  H01L21/67739 ,  H01L24/75 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/26 ,  H05K3/3489 ,  Y10T29/5136 ,  Y10T29/5137 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53178 ,  Y10T29/53183 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子部件安装设备，包括：利用等离子体清洁基片和电子部件的室；将电子部件安装到基片上的安装机构；以及将基片和电子部件从上述室传输到安装机构的传输机械人。在经等离子体清洁后，通过传输机械人将基片和电子部件迅速传输到安装机构。在电子部件通过安装机构安装到基片上后，对电子部件和基片的最终结合体进行脉冲加热。因此，在上述电子部件和上述基片暴露在空气中的状态下，将电子部件准确地安装在基片上。部件安装机构得到了简化。

公开(公告)号：CN1248062A

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN99108458.6

申请日：1995-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木能彦 ,  东和司 ,  熊谷浩一 ,  塚原法人 ,  米泽隆弘

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 设置于半导体芯片(4)的表面上的电极端(5)在平面视图上具有方形。而且,设置于电极端(5)上的凸块(8)的突出顶部(8a)指向电极端(5)的角部(5a)。于是,使通过毛细管(1)供给的金丝(2)的下端部熔化而形成的金球(2a)与电极端(5)接合,然后,沿方形电极(5)的对角线方向移动毛细管(1)。因而,使金丝(2)的主体与金球(2a)分离开,以形成凸块(8)。

公开(公告)号：CN101546734B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200910132440.1

申请日：2009-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北武司 ,  东和司

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明是一种半导体元件。在现有的半导体元件的制造方法中，由于半导体基板(2)的厚度方向的蚀刻是交替重复蚀刻工序和沉积工序来进行的，因此会在贯通孔(1)的侧壁面产生规则的凹处以作为横向的筋。其结果，利用CVD等方法沉积在贯通孔(1)的侧壁面的所述绝缘膜的膜厚的均匀性和对于侧壁面的粘附性因凹凸结构(3a)而变差。而且，由于形成在该绝缘膜上的籽晶层的膜厚的均匀性也变差，因此会看到如下现象，即此后通过利用镀覆法将导电性物质填充于贯通孔(1)而形成的贯通电极的可靠性变低。本发明的半导体元件具有半导体基板(2)、配置于半导体基板(2)的电路元件、及形成于半导体基板(2)的，在其侧壁面具有筋状凹凸结构(3)的贯通孔(1)，筋状凹凸结构(3)的筋的方向是半导体基板(2)的厚度方向。

公开(公告)号：CN102017099A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115109.7

申请日：2009-12-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 甲斐隆行 ,  东和司 ,  北武司 ,  山西齐 ,  大熊崇文

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种贯通电极的形成方法及半导体装置。利用贯通电极(3)将半导体基板(1)一侧的面(1a)的电极(5)和半导体基板另一侧的面(1b)连接。在半导体基板，自半导体基板另一侧的面至一侧的面的层间绝缘膜(2)形成通孔(6)，在通孔的侧面及底面、以及半导体基板另一侧的面上形成绝缘膜(4)，同时蚀刻加工所形成的通孔底面的绝缘膜及层间绝缘膜，从而以到达半导体基板一侧的面的电极的方式形成通孔。